Study of temperature and indium concentration-dependent dielectric constant and electron adffinity effects on the exciton optical transition and binding energy in spherical GaSb-Ga1-xInxAsySb1-y-GaSb quantum dots
Hemos estudiado los estados de excitación de orificios pesados en GaSb – GaInAsSb – GaSb tipo-I Puntos cuánticos esféricos, utilizando constante dieléctrica estática dependiente de la temperatura y afinidad electrónica, con una barrera de potencial de altura finita, en función del radio de puntos...
- Autores:
-
Sánchez Cano, Robert
Porras Montenegro, Nelson
- Tipo de recurso:
- Article of journal
- Fecha de publicación:
- 2010
- Institución:
- Universidad Autónoma de Occidente
- Repositorio:
- RED: Repositorio Educativo Digital UAO
- Idioma:
- eng
- OAI Identifier:
- oai:red.uao.edu.co:10614/11999
- Acceso en línea:
- http://red.uao.edu.co//handle/10614/11999
https://doi.org/10.1016/j.physe.2010.06.020
- Palabra clave:
- Dieléctricos
Electrónica cuántica
Dielectrics
Quantum electronics
- Rights
- restrictedAccess
- License
- Derechos Reservados - Universidad Autónoma de Occidente