Laser-dressing effects on the electron g factor in low-dimensional semiconductor systems under applied magnetic fields
The effects of a laser field on the conduction-electron effective Landé g factor in GaAs–Ga1−xAlxAs quantum wells and quantum-well wires under applied magnetic fields are studied within the effective-mass approximation. The interaction between the laser field and the semiconductor heterostructure is...
- Autores:
- Tipo de recurso:
- Fecha de publicación:
- 2009
- Institución:
- Ministerio de Ciencia, Tecnología e Innovación
- Repositorio:
- Repositorio Minciencias
- Idioma:
- eng
- OAI Identifier:
- oai:repositorio.minciencias.gov.co:20.500.14143/18426
- Acceso en línea:
- https://repositorio.minciencias.gov.co/handle/20.500.14143/18426
- Palabra clave:
- Campos magnéticos
Energía mecánica
Dispositivos semiconductores
Diodos semiconductores
Energía mecánica
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- License
- http://purl.org/coar/access_right/c_f1cf