Efecto de presiones externas sobre las propiedades opticasdeheteroestructuras semiconductoras de Ga-As.
Un esfuerzo uniaxial sobre una heteroestructura semiconductora modifica la estructura de bandas de tal manera que se da origen a cambios sustanciales en sus propiedades ópticas. Algunos avances se han reportado en la literatura en relación con los efectos de presiones externas en pozos cuánticos de...
- Autores:
-
Duque Echeverry, Carlos Alberto
- Tipo de recurso:
- Investigation report
- Fecha de publicación:
- 2005
- Institución:
- Minciencias
- Repositorio:
- Repositorio Minciencias
- Idioma:
- spa
- OAI Identifier:
- oai:repositorio.minciencias.gov.co:20.500.14143/38127
- Acceso en línea:
- https://colciencias.metadirectorio.org/handle/11146/38127
http://colciencias.metabiblioteca.com.co
- Palabra clave:
- Semiconductores
Presión hidrostática
Absorción
Óptica
Fotoluminiscencia
- Rights
- openAccess
- License
- http://purl.org/coar/access_right/c_abf2