Efecto de presiones externas sobre las propiedades opticasdeheteroestructuras semiconductoras de Ga-As.

Un esfuerzo uniaxial sobre una heteroestructura semiconductora modifica la estructura de bandas de tal manera que se da origen a cambios sustanciales en sus propiedades ópticas. Algunos avances se han reportado en la literatura en relación con los efectos de presiones externas en pozos cuánticos de...

Full description

Autores:

Duque Echeverry, Carlos Alberto

Tipo de recurso:

Investigation report

Fecha de publicación:

2005

Institución:

Ministerio de Ciencia, Tecnología e Innovación

Repositorio:

Repositorio Minciencias

Idioma:

spa

OAI Identifier:

oai:repositorio.minciencias.gov.co:20.500.14143/38127

Acceso en línea:

https://colciencias.metadirectorio.org/handle/11146/38127
http://colciencias.metabiblioteca.com.co

Palabra clave:

Semiconductores
Presión hidrostática
Absorción
Óptica
Fotoluminiscencia

Rights

openAccess

License

http://purl.org/coar/access_right/c_abf2