Estudio de la impurificación de capas epitaxiales de GaAs y AIGaAs en el rango de leve hasta fuerte dopaje por medio de fotoluminiscencia y fotorreflectancia.
En este proyecto se lograron fabricar películas delgadas semiconductoras de GaInAsSb a partir de soluciones con tres diferentes concentraciones de los elementos constituyentes In, Sb, GaAs y Ga por la técnica de epitaxia en fase líquida. (Apartes del texto).
- Autores:
-
Ariza Calderón, Hernando
- Tipo de recurso:
- Book
- Fecha de publicación:
- 2002
- Institución:
- Minciencias
- Repositorio:
- Repositorio Minciencias
- Idioma:
- spa
- OAI Identifier:
- oai:repositorio.minciencias.gov.co:20.500.14143/38485
- Acceso en línea:
- https://colciencias.metadirectorio.org/handle/11146/38485
http://colciencias.metabiblioteca.com.co
- Palabra clave:
- Películas delgadas
Morfología
Epitaxia
Propiedades térmicas
- Rights
- openAccess
- License
- http://purl.org/coar/access_right/c_abf2