Caracterización óptica y fototérmica de películas delgadas semiconductoras fabricadas por epitaxia en fase liquida.

En este proyecto se lograron fabricar películas delgadas semiconductoras de GaInAsSb a partir de soluciones con tres diferentes concentraciones de los elementos constituyentes In, Sb, GaAs y Ga por la técnica de epitaxia en fase líquida. (Apartes del texto).

Autores:: Ariza Calderón, Hernando

Tipo de recurso:: Investigation report

Fecha de publicación:: 2002

Institución:: Ministerio de Ciencia, Tecnología e Innovación

Repositorio:: Repositorio Minciencias

Idioma:: spa

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