Caracterización óptica y fototérmica de películas delgadas semiconductoras fabricadas por epitaxia en fase liquida.

En este proyecto se lograron fabricar películas delgadas semiconductoras de GaInAsSb a partir de soluciones con tres diferentes concentraciones de los elementos constituyentes In, Sb, GaAs y Ga por la técnica de epitaxia en fase líquida. (Apartes del texto).

Autores:
Ariza Calderón, Hernando
Tipo de recurso:
Investigation report
Fecha de publicación:
2002
Institución:
Ministerio de Ciencia, Tecnología e Innovación
Repositorio:
Repositorio Minciencias
Idioma:
spa
OAI Identifier:
oai:repositorio.minciencias.gov.co:20.500.14143/38137
Acceso en línea:
https://colciencias.metadirectorio.org/handle/11146/38137
http://colciencias.metabiblioteca.com.co
Palabra clave:
Películas delgadas
Morfología
Epitaxia
Propiedades térmicas
Rights
openAccess
License
http://purl.org/coar/access_right/c_abf2