Fabricación y caracterización de la heteroestructura GaSb/GaInAsSb/GaSb para aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos.
Con el presente proyecto se propone realizar el estudio del proceso de fabricación de heteroestructuras de GaSb/GaInAsSb/GaSb, mediante la técnica de Epitaxia en Fase Líquida. Para conseguir este objetivo se requiere de una fase previa en donde se determinen los parámetros óptimos de fabricación de...
- Autores:
-
Ariza Calderón, Hernando
- Tipo de recurso:
- Investigation report
- Fecha de publicación:
- 2011
- Institución:
- Minciencias
- Repositorio:
- Repositorio Minciencias
- Idioma:
- spa
- OAI Identifier:
- oai:repositorio.minciencias.gov.co:20.500.14143/37978
- Acceso en línea:
- https://colciencias.metadirectorio.org/handle/11146/37978
http://colciencias.metabiblioteca.com.co
- Palabra clave:
- Epitaxia en Fase Líquida
Heteroestructuras
Micro-Raman
Rayos X
Semiconductores
- Rights
- openAccess
- License
- http://purl.org/coar/access_right/c_abf2