Fabricación y caracterización de la heteroestructura GaSb/GaInAsSb/GaSb para aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos.

Con el presente proyecto se propone realizar el estudio del proceso de fabricación de heteroestructuras de GaSb/GaInAsSb/GaSb, mediante la técnica de Epitaxia en Fase Líquida. Para conseguir este objetivo se requiere de una fase previa en donde se determinen los parámetros óptimos de fabricación de...

Full description

Autores:

Ariza Calderón, Hernando

Tipo de recurso:

Investigation report

Fecha de publicación:

2011

Institución:

Ministerio de Ciencia, Tecnología e Innovación

Repositorio:

Repositorio Minciencias

Idioma:

spa

OAI Identifier:

oai:repositorio.minciencias.gov.co:20.500.14143/37978

Acceso en línea:

https://colciencias.metadirectorio.org/handle/11146/37978
http://colciencias.metabiblioteca.com.co

Palabra clave:

Epitaxia en Fase Líquida
Heteroestructuras
Micro-Raman
Rayos X
Semiconductores

Rights

openAccess

License

http://purl.org/coar/access_right/c_abf2