Efecto del voltaje Bias D.C. en las propiedades electroquímicas de películas delgadas de AlN obtenidas por medio de la técnica magnetrón sputtering R.F

Se depositaron películas delgadas de nitruro de aluminio, AlN, por el método de magnetrón sputtering r.f. reactivo usando un blanco de aluminio (99.9 %), sobre sustratos de silicio [100] y acero Rus-3, para investigar la influencia del voltaje de polarización bias d.c. sobre las películas obtenidas....

Full description

Autores:
Yate, Luis
Aperador Chaparro, William Arnulfo
Caicedo, Julio Cesar
Zambrano, Gustavo
Espinoza Beltrán, F. J
Muñoz Saldaña, Juan
Tipo de recurso:
Article of investigation
Fecha de publicación:
2009
Institución:
Escuela Colombiana de Ingeniería Julio Garavito
Repositorio:
Repositorio Institucional ECI
Idioma:
spa
OAI Identifier:
oai:repositorio.escuelaing.edu.co:001/2354
Acceso en línea:
https://repositorio.escuelaing.edu.co/handle/001/2354
Palabra clave:
Electroquímica
Espectroscopía por rayos-X
Magnetrones
Electrochemistry
X-ray spectroscopy
Magnetrons
Nitruro de aluminio
Magnetrón sputtering
Propiedades electroquímicas
Aluminum nitride
Magnetron sputtering
Electrochemical properties
Rights
closedAccess
License
http://purl.org/coar/access_right/c_14cb
id ESCUELAIG2_1ddca6467d616f56db376290552ed4b1
oai_identifier_str oai:repositorio.escuelaing.edu.co:001/2354
network_acronym_str ESCUELAIG2
network_name_str Repositorio Institucional ECI
repository_id_str
dc.title.spa.fl_str_mv Efecto del voltaje Bias D.C. en las propiedades electroquímicas de películas delgadas de AlN obtenidas por medio de la técnica magnetrón sputtering R.F
title Efecto del voltaje Bias D.C. en las propiedades electroquímicas de películas delgadas de AlN obtenidas por medio de la técnica magnetrón sputtering R.F
spellingShingle Efecto del voltaje Bias D.C. en las propiedades electroquímicas de películas delgadas de AlN obtenidas por medio de la técnica magnetrón sputtering R.F
Electroquímica
Espectroscopía por rayos-X
Magnetrones
Electrochemistry
X-ray spectroscopy
Magnetrons
Nitruro de aluminio
Magnetrón sputtering
Propiedades electroquímicas
Aluminum nitride
Magnetron sputtering
Electrochemical properties
title_short Efecto del voltaje Bias D.C. en las propiedades electroquímicas de películas delgadas de AlN obtenidas por medio de la técnica magnetrón sputtering R.F
title_full Efecto del voltaje Bias D.C. en las propiedades electroquímicas de películas delgadas de AlN obtenidas por medio de la técnica magnetrón sputtering R.F
title_fullStr Efecto del voltaje Bias D.C. en las propiedades electroquímicas de películas delgadas de AlN obtenidas por medio de la técnica magnetrón sputtering R.F
title_full_unstemmed Efecto del voltaje Bias D.C. en las propiedades electroquímicas de películas delgadas de AlN obtenidas por medio de la técnica magnetrón sputtering R.F
title_sort Efecto del voltaje Bias D.C. en las propiedades electroquímicas de películas delgadas de AlN obtenidas por medio de la técnica magnetrón sputtering R.F
dc.creator.fl_str_mv Yate, Luis
Aperador Chaparro, William Arnulfo
Caicedo, Julio Cesar
Zambrano, Gustavo
Espinoza Beltrán, F. J
Muñoz Saldaña, Juan
dc.contributor.author.none.fl_str_mv Yate, Luis
Aperador Chaparro, William Arnulfo
Caicedo, Julio Cesar
Zambrano, Gustavo
Espinoza Beltrán, F. J
Muñoz Saldaña, Juan
dc.contributor.researchgroup.spa.fl_str_mv Grupo de Investigación Ecitrónica
dc.subject.armarc.spa.fl_str_mv Electroquímica
Espectroscopía por rayos-X
Magnetrones
topic Electroquímica
Espectroscopía por rayos-X
Magnetrones
Electrochemistry
X-ray spectroscopy
Magnetrons
Nitruro de aluminio
Magnetrón sputtering
Propiedades electroquímicas
Aluminum nitride
Magnetron sputtering
Electrochemical properties
dc.subject.armarc.eng.fl_str_mv Electrochemistry
X-ray spectroscopy
Magnetrons
dc.subject.proposal.spa.fl_str_mv Nitruro de aluminio
Magnetrón sputtering
Propiedades electroquímicas
dc.subject.proposal.eng.fl_str_mv Aluminum nitride
Magnetron sputtering
Electrochemical properties
description Se depositaron películas delgadas de nitruro de aluminio, AlN, por el método de magnetrón sputtering r.f. reactivo usando un blanco de aluminio (99.9 %), sobre sustratos de silicio [100] y acero Rus-3, para investigar la influencia del voltaje de polarización bias d.c. sobre las películas obtenidas. Los análisis de EDS mostraron que las diferentes películas presentaron composiciones de Al y N entre 89% y 85% y 10% y 14%, respectivamente. Por medio de análisis de FTIR, se encontró la presencia de modos activos alrededor de 680 cm-1 asociados a la fase wurtzita del AlN, y alrededor de 600, 950 y 980 cm-1 asociados a estructuras amorfas de Al-N y óxidos en las películas. Las propiedades electroquímicas de los recubrimientos crecidos a diferentes voltajes bias fueron comparadas con el sustrato de acero RUS-3, mediante la espectroscopia de impedancia electroquímica (EIS) y con curvas de polarización Tafel. La velocidad de corrosión de las muestras depositadas a 0V y -80V (9.5 y 27.9 mpy, respectivamente) fueron menores que la del acero sin recubrir (33.1 mpy), mostrando el efecto protector de la capa de AlN depositada.
publishDate 2009
dc.date.issued.none.fl_str_mv 2009
dc.date.accessioned.none.fl_str_mv 2023-05-23T16:40:32Z
dc.date.available.none.fl_str_mv 2023-05-23T16:40:32Z
dc.type.spa.fl_str_mv Artículo de revista
dc.type.coarversion.fl_str_mv http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
dc.type.version.spa.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.coar.spa.fl_str_mv http://purl.org/coar/resource_type/c_2df8fbb1
dc.type.content.spa.fl_str_mv Text
dc.type.driver.spa.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
dc.type.redcol.spa.fl_str_mv http://purl.org/redcol/resource_type/ART
format http://purl.org/coar/resource_type/c_2df8fbb1
status_str publishedVersion
dc.identifier.issn.spa.fl_str_mv 0120-2650
dc.identifier.uri.none.fl_str_mv https://repositorio.escuelaing.edu.co/handle/001/2354
identifier_str_mv 0120-2650
url https://repositorio.escuelaing.edu.co/handle/001/2354
dc.language.iso.spa.fl_str_mv spa
language spa
dc.relation.citationendpage.spa.fl_str_mv 42
dc.relation.citationissue.spa.fl_str_mv 1
dc.relation.citationstartpage.spa.fl_str_mv 40
dc.relation.citationvolume.spa.fl_str_mv 41
dc.relation.indexed.spa.fl_str_mv N/A
dc.relation.ispartofjournal.spa.fl_str_mv Revista Colombiana de Física
dc.relation.references.spa.fl_str_mv J. Hwang, et. al. Solid-State Electron., 36, 348 (2004)
C. Men, et. al. Phys. B Condens. Matter., 229, 324 (2002).
W. Smetana, et. al. Sens. Actuators, A, Phys., 213, 58 (1997).
V. Mortet, et. al. Surf. Coat. Technol., 88, 176 (2003).
T. A. Rawdanowics, et al. Composites: Part B, 657, 30 (1999).
R. S. Pessoa, et. al. Diamond & Related Materials, 16, 1433, (2007).
J. Ning, et al. Thin Solid Films, 55, 385 (2001).
A. Raveh, et al. Surface and Coatings Technology, 269, 114 (1999).
J.E.B. Randles, Discuss. Faraday Soc., 11, 1 (1947).
F. M. Al-Kharafi, et. al. Electrochimica Acta, 579, 42-4 (1997).
H. Altun, et. al. Surface & Coatings Technology, 193, 197 (2005).
H. Schäfer, et. al. Corrosion Science, 953, 47 (2005).
dc.rights.coar.fl_str_mv http://purl.org/coar/access_right/c_14cb
dc.rights.accessrights.spa.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/closedAccess
eu_rights_str_mv closedAccess
rights_invalid_str_mv http://purl.org/coar/access_right/c_14cb
dc.format.extent.spa.fl_str_mv 3 páginas
dc.format.mimetype.spa.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.place.spa.fl_str_mv Colombia
institution Escuela Colombiana de Ingeniería Julio Garavito
bitstream.url.fl_str_mv https://repositorio.escuelaing.edu.co/bitstream/001/2354/4/Efecto%20del%20Voltaje%20Bias%20D.C.%20en%20las%20Propiedades%20Electroqu%c3%admicas%20de%20Pel%c3%adculas%20Delgadas%20de%20AlN%20Obtenidas%20por%20Medio%20de%20la%20T%c3%a9cnica%20Magnetr%c3%b3n%20Sputtering%20R.F-2-4.pdf.jpg
https://repositorio.escuelaing.edu.co/bitstream/001/2354/3/Efecto%20del%20Voltaje%20Bias%20D.C.%20en%20las%20Propiedades%20Electroqu%c3%admicas%20de%20Pel%c3%adculas%20Delgadas%20de%20AlN%20Obtenidas%20por%20Medio%20de%20la%20T%c3%a9cnica%20Magnetr%c3%b3n%20Sputtering%20R.F-2-4.pdf.txt
https://repositorio.escuelaing.edu.co/bitstream/001/2354/2/license.txt
https://repositorio.escuelaing.edu.co/bitstream/001/2354/1/Efecto%20del%20Voltaje%20Bias%20D.C.%20en%20las%20Propiedades%20Electroqu%c3%admicas%20de%20Pel%c3%adculas%20Delgadas%20de%20AlN%20Obtenidas%20por%20Medio%20de%20la%20T%c3%a9cnica%20Magnetr%c3%b3n%20Sputtering%20R.F-2-4.pdf
bitstream.checksum.fl_str_mv cab239c768e1b6b7d02350d125fbd053
c620232991957b569bfa7c6663bd7fbe
5a7ca94c2e5326ee169f979d71d0f06e
8ce7c00e6208658f78d6ee6dabde3ecd
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv MD5
MD5
MD5
MD5
repository.name.fl_str_mv Repositorio Escuela Colombiana de Ingeniería Julio Garavito
repository.mail.fl_str_mv repositorio.eci@escuelaing.edu.co
_version_ 1814355630619623424
spelling Yate, Luis0266a9b33cd7d4e25485c7481ec3b3f6600Aperador Chaparro, William Arnulfod0ab25696c12a7e94a910bc7647be528600Caicedo, Julio Cesarf512b138afe77d4e7bfce5d36c13debb600Zambrano, Gustavo2d9f7ab07ea6d5abc1fff1d6396340dc600Espinoza Beltrán, F. J7403756a364448597a4127122d83b1c8600Muñoz Saldaña, Juan5f1e80d153b294a7e0c6675098e48575600Grupo de Investigación Ecitrónica2023-05-23T16:40:32Z2023-05-23T16:40:32Z20090120-2650https://repositorio.escuelaing.edu.co/handle/001/2354Se depositaron películas delgadas de nitruro de aluminio, AlN, por el método de magnetrón sputtering r.f. reactivo usando un blanco de aluminio (99.9 %), sobre sustratos de silicio [100] y acero Rus-3, para investigar la influencia del voltaje de polarización bias d.c. sobre las películas obtenidas. Los análisis de EDS mostraron que las diferentes películas presentaron composiciones de Al y N entre 89% y 85% y 10% y 14%, respectivamente. Por medio de análisis de FTIR, se encontró la presencia de modos activos alrededor de 680 cm-1 asociados a la fase wurtzita del AlN, y alrededor de 600, 950 y 980 cm-1 asociados a estructuras amorfas de Al-N y óxidos en las películas. Las propiedades electroquímicas de los recubrimientos crecidos a diferentes voltajes bias fueron comparadas con el sustrato de acero RUS-3, mediante la espectroscopia de impedancia electroquímica (EIS) y con curvas de polarización Tafel. La velocidad de corrosión de las muestras depositadas a 0V y -80V (9.5 y 27.9 mpy, respectivamente) fueron menores que la del acero sin recubrir (33.1 mpy), mostrando el efecto protector de la capa de AlN depositada.Aluminum nitride thin films were deposited onto Si [100] and Rus-3 steel substrates by reactive magnetron sputtering technique from an Al (99.9%) target, in order to study the influence of the d.c. bias polarisation voltage on the obtained films. EDS analysis showed that films presented compositions of Al and N between 89% and 85% and 10% and 14%, respectively. By means of FTIR analysis, was found the presence of active modes around 680 cm-1 associated to the AlN wurtzita phase, and around 600, 950 and 980 cm-1 associated to Al-N amorphous structures and oxides in the films. The electrochemical properties of the coatings growth at different bias voltages were compared with the RUS-3 substrate, by means of electrochemical impedance spectroscopy (EIS), and with Tafel polarization curves. The corrosion speed of the coatings growth at 0 and -80V (27.9 and 9.5 mpy, respectively) were lowers than that from the steel without coating (33.1 mpy), showing the protective effect of the AlN deposited films.3 páginasapplication/pdfspaEfecto del voltaje Bias D.C. en las propiedades electroquímicas de películas delgadas de AlN obtenidas por medio de la técnica magnetrón sputtering R.FArtículo de revistainfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_2df8fbb1Textinfo:eu-repo/semantics/articlehttp://purl.org/redcol/resource_type/ARThttp://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85MagnetronesAnálisis de FourierMagnetronsFourier analysisColombia4214041N/ARevista Colombiana de FísicaJ. Hwang, et. al. Solid-State Electron., 36, 348 (2004)C. Men, et. al. Phys. B Condens. Matter., 229, 324 (2002).W. Smetana, et. al. Sens. Actuators, A, Phys., 213, 58 (1997).V. Mortet, et. al. Surf. Coat. Technol., 88, 176 (2003).T. A. Rawdanowics, et al. Composites: Part B, 657, 30 (1999).R. S. Pessoa, et. al. Diamond & Related Materials, 16, 1433, (2007).J. Ning, et al. Thin Solid Films, 55, 385 (2001).A. Raveh, et al. Surface and Coatings Technology, 269, 114 (1999).J.E.B. Randles, Discuss. Faraday Soc., 11, 1 (1947).F. M. Al-Kharafi, et. al. Electrochimica Acta, 579, 42-4 (1997).H. Altun, et. al. Surface & Coatings Technology, 193, 197 (2005).H. Schäfer, et. al. Corrosion Science, 953, 47 (2005).info:eu-repo/semantics/closedAccesshttp://purl.org/coar/access_right/c_14cbElectroquímicaEspectroscopía por rayos-XMagnetronesElectrochemistryX-ray spectroscopyMagnetronsNitruro de aluminioMagnetrón sputteringPropiedades electroquímicasAluminum nitrideMagnetron sputteringElectrochemical propertiesTHUMBNAILEfecto del Voltaje Bias D.C. en las Propiedades Electroquímicas de Películas Delgadas de AlN Obtenidas por Medio de la Técnica Magnetrón Sputtering R.F-2-4.pdf.jpgEfecto del Voltaje Bias D.C. en las Propiedades Electroquímicas de Películas Delgadas de AlN Obtenidas por Medio de la Técnica Magnetrón Sputtering R.F-2-4.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg14270https://repositorio.escuelaing.edu.co/bitstream/001/2354/4/Efecto%20del%20Voltaje%20Bias%20D.C.%20en%20las%20Propiedades%20Electroqu%c3%admicas%20de%20Pel%c3%adculas%20Delgadas%20de%20AlN%20Obtenidas%20por%20Medio%20de%20la%20T%c3%a9cnica%20Magnetr%c3%b3n%20Sputtering%20R.F-2-4.pdf.jpgcab239c768e1b6b7d02350d125fbd053MD54open accessTEXTEfecto del Voltaje Bias D.C. en las Propiedades Electroquímicas de Películas Delgadas de AlN Obtenidas por Medio de la Técnica Magnetrón Sputtering R.F-2-4.pdf.txtEfecto del Voltaje Bias D.C. en las Propiedades Electroquímicas de Películas Delgadas de AlN Obtenidas por Medio de la Técnica Magnetrón Sputtering R.F-2-4.pdf.txtExtracted texttext/plain13095https://repositorio.escuelaing.edu.co/bitstream/001/2354/3/Efecto%20del%20Voltaje%20Bias%20D.C.%20en%20las%20Propiedades%20Electroqu%c3%admicas%20de%20Pel%c3%adculas%20Delgadas%20de%20AlN%20Obtenidas%20por%20Medio%20de%20la%20T%c3%a9cnica%20Magnetr%c3%b3n%20Sputtering%20R.F-2-4.pdf.txtc620232991957b569bfa7c6663bd7fbeMD53open accessLICENSElicense.txtlicense.txttext/plain; charset=utf-81881https://repositorio.escuelaing.edu.co/bitstream/001/2354/2/license.txt5a7ca94c2e5326ee169f979d71d0f06eMD52open accessORIGINALEfecto del Voltaje Bias D.C. en las Propiedades Electroquímicas de Películas Delgadas de AlN Obtenidas por Medio de la Técnica Magnetrón Sputtering R.F-2-4.pdfEfecto del Voltaje Bias D.C. en las Propiedades Electroquímicas de Películas Delgadas de AlN Obtenidas por Medio de la Técnica Magnetrón Sputtering R.F-2-4.pdfArtículo de revistaapplication/pdf174611https://repositorio.escuelaing.edu.co/bitstream/001/2354/1/Efecto%20del%20Voltaje%20Bias%20D.C.%20en%20las%20Propiedades%20Electroqu%c3%admicas%20de%20Pel%c3%adculas%20Delgadas%20de%20AlN%20Obtenidas%20por%20Medio%20de%20la%20T%c3%a9cnica%20Magnetr%c3%b3n%20Sputtering%20R.F-2-4.pdf8ce7c00e6208658f78d6ee6dabde3ecdMD51open access001/2354oai:repositorio.escuelaing.edu.co:001/23542023-09-29 11:44:21.269open accessRepositorio Escuela Colombiana de Ingeniería Julio Garavitorepositorio.eci@escuelaing.edu.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