Estudio de pozos cuánticos por fotoluminiscencia
Incluye índice de figuras y de tablas
- Autores:
-
Bertel Palencia, Ramón de Jesús
Zambrano Rojas, Samuel Eligio
Prías Barragán, Jhon Jairo
- Tipo de recurso:
- Book
- Fecha de publicación:
- 2022
- Institución:
- Universidad de la Guajira
- Repositorio:
- Repositorio Uniguajira
- Idioma:
- spa
- OAI Identifier:
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- Acceso en línea:
- https://repositoryinst.uniguajira.edu.co/handle/uniguajira/1041
- Palabra clave:
- Heteroestructuras semiconductoras
Pozo cuántico
Ensanchamiento espectral
Fotoluminiscencia
InGaAs/InAlAs
Semiconductor heterostructures
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Photoluminescence
InGaAs / InAlAs
- Rights
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- License
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Ariza, H. (2003). Fabricación y caracterización óptica de materiales semiconductores para aplicaciones en optoelectrónica. Revista de la Academia Colombiana de Ciencias, 27(104), 357-368. Brusaferri, L.; Sanguinetti, S.; Grilli, E.; Guzzi, M.; Bignazzi, A.; Bogani, F.; Carraresi, L.; Colocci, M.; Bosacchi, A.; Frigeri, P. y Franchi, S. (1996). Thermally activated carrier transfer and luminescence line shape in self organized InAs quantum dots. Applied Physics Letters, 69(22), 3354-3356. Centro de Investigaciones Avanzadas, Cinvestav (2002). Cinvestav, México. http://www.cinvestav.mx/publicaciones/avayper/enefeb02/MISHO. pdf Colinge, J. P. y Colinge, C. A. (2002). Physics of Semiconductor Devices. Editorial KAP. Deych, L. I., Yamilov, A. y Lisyansky, A. (2002). Optical spectra and inhomogeneous broadening in CdTe/CdZnTe MQW structures with defects. Nanotechnology, 13(1), 114-119. Eisberg, R. y Resnick R. (1999). Física cuántica (3a ed.). México D. F.: Editorial Limusa. Fonthal, R. 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En este trabajo se estudió el ensanchamiento inhomogéneo del haz de luz a través de un análisis por fotoluminiscencia del ancho de los espectros a distintas temperaturas y distintas potencias de la fuerza excitatriz sobre muestras de heteroestructuras semiconductoras de InGaAs/InAlAs.InGaAs / InAlAs quantum wells have enormous potential as semiconductor lasers, but factors such as roughness of the interfaces, internal defects, localized pressures or local electric fields, alter the width of the laser light beam with the consequent loss of intensity and coherence. The widening can be of two types, homogeneous and inhomogeneous. The first one occurs at the same frequency of laser light and the second at a different frequency, being therefore the most unwanted. In this work, the inhomogeneous broadening of the light beam was studied through a photoluminescence analysis of the width of the spectra at different temperatures and different powers of the excitatory force on samples of semiconductor heterostructures of InGaAs / InAlAs.Presentación 1. Introducción a la ciencia de los materiales semiconductores, su importancia y algunas aplicaciones Generalidades de los materiales semiconductores Importancia de los materiales semiconductores y sus aplicaciones 2. Conceptualización básica de la temática Antecedentes Descripción de un pozo cuántico Confinamiento cuántico y densidad de estados Estructura y construcción de un pozo cuántico Clasificación de pozos cuánticos múltiples (mqw) y superredes (SL) Características de los materiales semiconductores para pozos cuánticos y superredes Técnica de crecimiento: deposición química por vapor de compuestos metal orgánicos (mocvd) Pozos cuánticos de GaInAs/AlInAs Modelo de pozo cuadrado Efectos de ensanchamiento de las transiciones ópticas en semiconductores 3. Técnicas de caracterización de materiales semiconductores: fotoluminiscencia Fotoluminiscencia Fotoluminiscencia en pozos cuánticos 4. Caracterización de pozos cuánticos por fotoluminiscencia Aspectos metodológicos del estudio experimental realizado por fotoluminiscencia Estudio zonal en las muestras de pozos cuánticos Comportamiento de las muestras de pozos cuánticos al variar la temperatura Comportamiento de las muestras de pozos cuánticos al variar la potencia de excitación Conclusiones BibliografíaIncluye ilustraciones y diagramas a color y blanco y negro, ilustraciones; tablas a blanco y negroPrimera ediciónapplication/pdfspaUniversidad de La GuajiraDistrito Especial, Turístico y Cultural de Riohachahttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/info:eu-repo/semantics/openAccessAtribución-NoComercial-CompartirIgual 4.0 Internacional (CC BY-NC-SA 4.0)http://purl.org/coar/access_right/c_abf2Estudio de pozos cuánticos por fotoluminiscenciaLibrohttp://purl.org/coar/resource_type/c_2f33Textinfo:eu-repo/semantics/bookhttp://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85Ariza, H. (2003). Fabricación y caracterización óptica de materiales semiconductores para aplicaciones en optoelectrónica. Revista de la Academia Colombiana de Ciencias, 27(104), 357-368.Brusaferri, L.; Sanguinetti, S.; Grilli, E.; Guzzi, M.; Bignazzi, A.; Bogani, F.; Carraresi, L.; Colocci, M.; Bosacchi, A.; Frigeri, P. y Franchi, S. (1996). Thermally activated carrier transfer and luminescence line shape in self organized InAs quantum dots. Applied Physics Letters, 69(22), 3354-3356.Centro de Investigaciones Avanzadas, Cinvestav (2002). Cinvestav, México. http://www.cinvestav.mx/publicaciones/avayper/enefeb02/MISHO. pdfColinge, J. P. y Colinge, C. A. (2002). Physics of Semiconductor Devices. Editorial KAP.Deych, L. I., Yamilov, A. y Lisyansky, A. (2002). Optical spectra and inhomogeneous broadening in CdTe/CdZnTe MQW structures with defects. Nanotechnology, 13(1), 114-119.Eisberg, R. y Resnick R. (1999). Física cuántica (3a ed.). México D. F.: Editorial Limusa.Fonthal, R. G., (2001). 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The effect of potential fluctuations on the optical properties of InGaAs/InAlAs superlattices. Journal of Applied Physics, 97(10), 103518. https://doi.org/10.1063/1.1903101Racedo, F. J. (2000). Crecimento epitaxial selectivo de estruturas semicondutoras III- -V Visando A Integração Optoeletronica [Tesis doctoral] Pontificia Universidade Católica do Rio de Janeiro, Brasil.Sasa, S.; Nakata, Y.; Sugiyama, Y.; Fujii, T. y Miyauchi, E. (1989). Electronic properties of two-dimensional electron gas in pseudomorphic InxGa1− xAs/N-In0. 52Al0. 48As heterostructures. Journal of Crystal Growth, 95(1- 4), 189-192.Schubert, E. F. y Tsang, W. T. (1986). Photoluminescence line shape of excitons in alloy semiconductors. Physical Review B, 34(4), 2991-2994. https:// doi.org/10.1103/PhysRevB.34.2991Shirakata, S.: Kondo, M. y Kitatani, T. (2001). Photoluminescence and photoreflectance of GaInNAs single quantum wells. Applied Physics Letters, 79(1), 54-56. https://doi.org/10.1063/1.1374221Varshni, Y. P. (1967). Temperature dependence of the energy gap in semiconductors. Physica, 34(1), 149-154. https://www.sciencedirect.com/science/ article/abs/pii/0031891467900626Villada, J. A. (2004). Estudio de pozos cuánticos de InGaAs/InAlAs por medio de la técnica de fotoluminiscencia en función de la temperatura [Trabajo especial para título de maestría en Ciencias de los Materiales]. Universidad del Quindío, Colombia.Vurgaftman, I.; Meyer, J. y Ram-Mohan, R. (2001). Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys. Journal of Applied Physics, 89(11), 5815-5875. DOI:10.1063/1.1368156.Vurgaftman, I.; Meyer, J. y Ram-Mohan, R. (2001). Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys. Journal of Applied Physics, 89(11), 5815-5875. DOI:10.1063/1.1368156.Yang, Q. K.; Chen, J. X. y Li, A. Z. (2000). Growth and characterization of high-quality GaInAs/AlInAs triple wells. Journal of Crystal Growth, 209(1), 8-14. DOI:10.1016/S0022-0248(99)00486-8.Yu, P. y Cardona, M. (1996). Fundamentals of Semiconductors. Germany-New York: Springer.Moughli, H. (2018). Theoretical study of the potential of multiple quantum well solar cells based on. Journal of Ovonic Research Vol,14(3), 217-223Heteroestructuras semiconductorasPozo cuánticoEnsanchamiento espectralFotoluminiscenciaInGaAs/InAlAsSemiconductor heterostructuresQuantum wellSpectral broadeningPhotoluminescenceInGaAs / InAlAsPublicationdc065a22-29cb-4236-be3e-2091902c9173virtual::180-1dc065a22-29cb-4236-be3e-2091902c9173virtual::180-10000-0001-9058-2187virtual::180-1ORIGINAL31. Fotoluminiscencia -FINAL-.pdf31. Fotoluminiscencia -FINAL-.pdfapplication/pdf10632745https://repositoryinst.uniguajira.edu.co/bitstreams/9f4e0d08-f643-4149-96a9-e08871edda17/downloade18773b3e8240c116fd0f91d86c2bc5cMD51LICENSElicense.txtlicense.txttext/plain; charset=utf-815543https://repositoryinst.uniguajira.edu.co/bitstreams/dae898e6-bea2-495b-aac2-e2f7c116feef/download73a5432e0b76442b22b026844140d683MD52TEXT31. 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