“Efecto de la relajación estructural en la densidad local superficial de estados en silicio pasivado con hidrogeno”

En este trabajo se estudió el efecto causado sobre la densidad local superficial de estados debido a la relajación estructural en nanoestructuras de silicio pasivada con hidrógeno, en relación a las fases superficiales (100), (110), (111). El trabajo se basa principalmente en el análisis del comport...

Full description

Autores:
Núñez Murillo, Francisco Alberto
Tipo de recurso:
Fecha de publicación:
2022
Institución:
Universidad del Atlántico
Repositorio:
Repositorio Uniatlantico
Idioma:
spa
OAI Identifier:
oai:repositorio.uniatlantico.edu.co:20.500.12834/1169
Acceso en línea:
https://hdl.handle.net/20.500.12834/1169
Palabra clave:
Hidrogeno
Silicio
Densidad Local Superficial
Rights
openAccess
License
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El proceso de cálculo inicia con la relajación de la superficie, el cual consiste en encontrar la posición óptima de los átomos para que la estructura esté en equilibrio. Este se desarrolló mediante cálculos de la teoría funcional densidad (DFT), y consiste en encontrar primeramente el parámetro de red del material cristalino, para posteriormente, a partir de dicho parámetro, encontrar la posición optima de los átomos en las capas más externas de las nanoestructuras. En lo que concierne al cálculo de la densidad local de estados (LDOS), se empleó el método de los pseudopotenciales empíricos (EPM, de las siglas en inglés: Empirical pseudopotential method). para calcular las funciones de ondas a nivel atómico, para así poder usarlas y determinar la densidad local superficial de estados (LDOS) para los puntos más cercanos a las superficies a estudiar, una vez se encontró el espectro de estados se pudo notar cómo varía este con respecto a la relajación de la estructura. 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