Metodología de diseño de amplificadores de alta potencia en ANSYS EDT
Se propone una metodología de diseño de amplificadores de alta potencia en el simulador ANSYS EDT. Se presentan las herramientas de caracterización de transistores y amplificadores en el dominio del tiempo y la frecuencia, mediante análisis DC, análisis lineal en frecuencia AC y análisis en balance...
- Autores:
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Osorio Díaz, Diego Fernando
- Tipo de recurso:
- Trabajo de grado de pregrado
- Fecha de publicación:
- 2021
- Institución:
- Universidad de los Andes
- Repositorio:
- Séneca: repositorio Uniandes
- Idioma:
- spa
- OAI Identifier:
- oai:repositorio.uniandes.edu.co:1992/50718
- Acceso en línea:
- http://hdl.handle.net/1992/50718
- Palabra clave:
- Amplificadores de potencia
ANSYS (Sistema para computador)
Ingeniería
- Rights
- openAccess
- License
- https://repositorio.uniandes.edu.co/static/pdf/aceptacion_uso_es.pdf
Summary: | Se propone una metodología de diseño de amplificadores de alta potencia en el simulador ANSYS EDT. Se presentan las herramientas de caracterización de transistores y amplificadores en el dominio del tiempo y la frecuencia, mediante análisis DC, análisis lineal en frecuencia AC y análisis en balance armónico. Se diseñan y validan 3 amplificadores de alta potencia. El amplificador clase AB de alto rendimiento presenta la mayor potencia de salida Po= 23.8dBm, ganancia G= 20.795dB.El amplificador clase B de alta eficiencia presenta una disipación de potencia baja en banda, con valor de Pdiss=142mW, eficiencia no=51.72% y PAE=47.32%.El amplificador clase A presenta una eficiencia experimental de 50.2%, ganancia de G=11.40dB y potencia de salida de Po=21.40dBm. |
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