Medición de propiedades conductoras del BFO utilizando efecto Hall

El BFO se considera como un buen sustituto al silicio en la elaboración de transistores y procesadores, a pesar de ser un material muy estudiado este sigue mostrando propiedades nuevas e interesantes. Por ejemplo, se ha mostrado que tiene propiedades de memoria resistiva, es decir, que es posible usar su resistencia eléctrica como elemento activo en memorias electrónicas. Utilizando las técnicas de medición del efecto Hall de Van der Pauw y barras Hall se midieron las propiedades conductoras del BFO. Esto con la idea de caracterizar y entender la naturaleza de sus propiedades eléctricas. Para esto, se construyó un montaje experimental en el que se automatizan y optimizan las medidas de las técnicas de efecto Hall mencionadas. Entre las propiedades medidas, se determinó su resistividad, coeficiente Hall, movilidad eléctrica y densidad de portadores de carga. Con estos datos es posible determinar si es un material apto para la elaboración de procesadores.

• Autores: Ramírez Milano, Diego Luis
• Tipo de recurso: Trabajo de grado de pregrado
• Fecha de publicación: 2017
• Institución: Universidad de los Andes
• Repositorio: Séneca: repositorio Uniandes
• Idioma: spa
• OAI Identifier: oai:repositorio.uniandes.edu.co:1992/61922
• Acceso en línea: http://hdl.handle.net/1992/61922
• Palabra clave: Bismuto; Efecto Hall; Ferritas (Materiales magnéticos); Procesamiento electrónico de datos
• Rights: openAccess
• License: http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/