Control of magnetic anisotropy via phase transitions : magneto resistance effect
Las interacciones de interfaz en sistemas de bicapas VOx/F (donde F es una película ferromagnética), presentan propiedades óptimas para desarrollo de materiales útiles para aplicaciones tecnológicas. La transición de fase estructural (TFE) del VOx es el factor principal en la aparición de tales prop...
- Autores:
-
Garzón Miguez, Oscar Fernando
- Tipo de recurso:
- Fecha de publicación:
- 2018
- Institución:
- Universidad de los Andes
- Repositorio:
- Séneca: repositorio Uniandes
- Idioma:
- eng
- OAI Identifier:
- oai:repositorio.uniandes.edu.co:1992/34067
- Acceso en línea:
- http://hdl.handle.net/1992/34067
- Palabra clave:
- Magnetorresistencia - Investigaciones
Anisotropía - Investigaciones
Ferromagnetismo - Investigaciones
Física
- Rights
- openAccess
- License
- http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
| id |
UNIANDES2_66b52b91d8335e24683432c8f97c4ca3 |
|---|---|
| oai_identifier_str |
oai:repositorio.uniandes.edu.co:1992/34067 |
| network_acronym_str |
UNIANDES2 |
| network_name_str |
Séneca: repositorio Uniandes |
| repository_id_str |
|
| dc.title.es_CO.fl_str_mv |
Control of magnetic anisotropy via phase transitions : magneto resistance effect |
| title |
Control of magnetic anisotropy via phase transitions : magneto resistance effect |
| spellingShingle |
Control of magnetic anisotropy via phase transitions : magneto resistance effect Magnetorresistencia - Investigaciones Anisotropía - Investigaciones Ferromagnetismo - Investigaciones Física |
| title_short |
Control of magnetic anisotropy via phase transitions : magneto resistance effect |
| title_full |
Control of magnetic anisotropy via phase transitions : magneto resistance effect |
| title_fullStr |
Control of magnetic anisotropy via phase transitions : magneto resistance effect |
| title_full_unstemmed |
Control of magnetic anisotropy via phase transitions : magneto resistance effect |
| title_sort |
Control of magnetic anisotropy via phase transitions : magneto resistance effect |
| dc.creator.fl_str_mv |
Garzón Miguez, Oscar Fernando |
| dc.contributor.advisor.none.fl_str_mv |
Ramírez Rojas, Juan Gabriel |
| dc.contributor.author.none.fl_str_mv |
Garzón Miguez, Oscar Fernando |
| dc.contributor.jury.none.fl_str_mv |
Hernández Pico, Yenny Rocío Osorio Vélez, Jaime Alberto |
| dc.subject.keyword.es_CO.fl_str_mv |
Magnetorresistencia - Investigaciones Anisotropía - Investigaciones Ferromagnetismo - Investigaciones |
| topic |
Magnetorresistencia - Investigaciones Anisotropía - Investigaciones Ferromagnetismo - Investigaciones Física |
| dc.subject.themes.none.fl_str_mv |
Física |
| description |
Las interacciones de interfaz en sistemas de bicapas VOx/F (donde F es una película ferromagnética), presentan propiedades óptimas para desarrollo de materiales útiles para aplicaciones tecnológicas. La transición de fase estructural (TFE) del VOx es el factor principal en la aparición de tales propiedades y estudios recientes sugieren que, para el caso del V2O3Ni, existe una competencia de tamaño entre los dominios magnéticos de Ni y coexistencia de fases del V2O3, durante la TFE a 160K. Esta competencia produce un pico en el comportamiento del campo coercitivo magnético del sistema a esa temperatura. Por otro lado, en estudios previos se ha visto que la anisotropía magnética del Ni está fuertemente confinada en el plano de la película. Sin embargo, para aplicaciones en memorias es útil que la anisotropía de magnetización apunte fuera del plano. Aquí mostramos que, para el sistema V2O3/Ni, la interacción de la interfaz entre estas películas induce anisotropía magnética en el Ni. Las mediciones de magneto resistencia y magnetometría se utilizan para observar esta anisotropía magnética que apunta hacia afuera del plano. La existencia de tal anisotropía fuera del plano podría ser útil para desarrollar nuevas memorias ajustables capaces de almacenar información en forma de bits perpendiculares al plano que facilitaría el acceso a la información. Se realiza en este trabajo un extenso estudio, como la dependencia angular del efecto de resistencia magnética, la magnetización frente a la temperatura y la magnetización frente al campo magnético, para identificar diferentes tipos de acoplamiento magnético... |
| publishDate |
2018 |
| dc.date.issued.none.fl_str_mv |
2018 |
| dc.date.accessioned.none.fl_str_mv |
2020-06-10T08:57:19Z |
| dc.date.available.none.fl_str_mv |
2020-06-10T08:57:19Z |
| dc.type.spa.fl_str_mv |
Trabajo de grado - Maestría |
| dc.type.coarversion.fl_str_mv |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
| dc.type.driver.spa.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/masterThesis |
| dc.type.content.spa.fl_str_mv |
Text |
| dc.type.redcol.spa.fl_str_mv |
http://purl.org/redcol/resource_type/TM |
| dc.identifier.uri.none.fl_str_mv |
http://hdl.handle.net/1992/34067 |
| dc.identifier.pdf.none.fl_str_mv |
u821532.pdf |
| dc.identifier.instname.spa.fl_str_mv |
instname:Universidad de los Andes |
| dc.identifier.reponame.spa.fl_str_mv |
reponame:Repositorio Institucional Séneca |
| dc.identifier.repourl.spa.fl_str_mv |
repourl:https://repositorio.uniandes.edu.co/ |
| url |
http://hdl.handle.net/1992/34067 |
| identifier_str_mv |
u821532.pdf instname:Universidad de los Andes reponame:Repositorio Institucional Séneca repourl:https://repositorio.uniandes.edu.co/ |
| dc.language.iso.es_CO.fl_str_mv |
eng |
| language |
eng |
| dc.rights.uri.*.fl_str_mv |
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/ |
| dc.rights.accessrights.spa.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/openAccess |
| dc.rights.coar.spa.fl_str_mv |
http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 |
| rights_invalid_str_mv |
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/ http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 |
| eu_rights_str_mv |
openAccess |
| dc.format.extent.es_CO.fl_str_mv |
97 hojas |
| dc.format.mimetype.es_CO.fl_str_mv |
application/pdf |
| dc.publisher.es_CO.fl_str_mv |
Uniandes |
| dc.publisher.program.es_CO.fl_str_mv |
Maestría en Ciencias - Física |
| dc.publisher.faculty.es_CO.fl_str_mv |
Facultad de Ciencias |
| dc.publisher.department.es_CO.fl_str_mv |
Departamento de Física |
| dc.source.es_CO.fl_str_mv |
instname:Universidad de los Andes reponame:Repositorio Institucional Séneca |
| instname_str |
Universidad de los Andes |
| institution |
Universidad de los Andes |
| reponame_str |
Repositorio Institucional Séneca |
| collection |
Repositorio Institucional Séneca |
| bitstream.url.fl_str_mv |
https://repositorio.uniandes.edu.co/bitstreams/fd0ea5da-34a9-4d4e-8239-68e27e4d19b3/download https://repositorio.uniandes.edu.co/bitstreams/a6c5c91e-42ee-43ee-89b5-278aaea4a0da/download https://repositorio.uniandes.edu.co/bitstreams/e5c1f77c-9069-45d0-acf3-52776ab42bb2/download |
| bitstream.checksum.fl_str_mv |
268dbcc808c2c0ff6727613c0fdaef89 6f183ba65ae57f784004b417afbbd1c5 e06ff17ca7154f66f25e59c906e20005 |
| bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv |
MD5 MD5 MD5 |
| repository.name.fl_str_mv |
Repositorio institucional Séneca |
| repository.mail.fl_str_mv |
adminrepositorio@uniandes.edu.co |
| _version_ |
1818111769013387264 |
| spelling |
Al consultar y hacer uso de este recurso, está aceptando las condiciones de uso establecidas por los autores.http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/info:eu-repo/semantics/openAccesshttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2Ramírez Rojas, Juan Gabrielvirtual::5255-1Garzón Miguez, Oscar Fernando4786f29b-9c5f-40fb-ba78-46bab20a8956500Hernández Pico, Yenny RocíoOsorio Vélez, Jaime Alberto2020-06-10T08:57:19Z2020-06-10T08:57:19Z2018http://hdl.handle.net/1992/34067u821532.pdfinstname:Universidad de los Andesreponame:Repositorio Institucional Sénecarepourl:https://repositorio.uniandes.edu.co/Las interacciones de interfaz en sistemas de bicapas VOx/F (donde F es una película ferromagnética), presentan propiedades óptimas para desarrollo de materiales útiles para aplicaciones tecnológicas. La transición de fase estructural (TFE) del VOx es el factor principal en la aparición de tales propiedades y estudios recientes sugieren que, para el caso del V2O3Ni, existe una competencia de tamaño entre los dominios magnéticos de Ni y coexistencia de fases del V2O3, durante la TFE a 160K. Esta competencia produce un pico en el comportamiento del campo coercitivo magnético del sistema a esa temperatura. Por otro lado, en estudios previos se ha visto que la anisotropía magnética del Ni está fuertemente confinada en el plano de la película. Sin embargo, para aplicaciones en memorias es útil que la anisotropía de magnetización apunte fuera del plano. Aquí mostramos que, para el sistema V2O3/Ni, la interacción de la interfaz entre estas películas induce anisotropía magnética en el Ni. Las mediciones de magneto resistencia y magnetometría se utilizan para observar esta anisotropía magnética que apunta hacia afuera del plano. La existencia de tal anisotropía fuera del plano podría ser útil para desarrollar nuevas memorias ajustables capaces de almacenar información en forma de bits perpendiculares al plano que facilitaría el acceso a la información. Se realiza en este trabajo un extenso estudio, como la dependencia angular del efecto de resistencia magnética, la magnetización frente a la temperatura y la magnetización frente al campo magnético, para identificar diferentes tipos de acoplamiento magnético...Interface coupling in VOx/F bilayers systems (where F is a ferromagnetic film), present optimal properties for developing novel functional materials for technological applications, especially in heat-assisted magnetic memories. Structural Phase Transition (SPT) of VOx makes the biggest contribution in the emergence of such properties and evidence suggests that, in the case of V2O3/Ni, there is a length-scale competition between Ni magnetic domain and phase coexistence during V2O3 SPT at 160K. This competition produces a peak-like behaviour in the magnetic coercive field. In previous studies it is shown that for Ni film, the magnetic anisotropy is strongly confined in the film plane. However, for magnetic memory applications it is useful to have the magnetization pointing out of plane of the film. Here we show that, for the V2O3/Ni system, the interface interaction between these two films induces an out-pointing magnetic anisotropy in the Ni film. Magneto-Resistance and Magnetometry measurements are used to observe this out-pointing magnetic anisotropy. The existence of such Out-of-Plane anisotropy could be useful for developing new tunable memories capable of storing information in the form of bits perpendicular to the plane which would make easier to access information. Extend research and measurements, such as angular dependence of the Magneto Resistance effect, Magnetization vs. Temperature and Magnetization vs. Magnetic Field, are used to identify different types of magnetic coupling. In-plane characterization of the Magneto Resistance effect as a function of temperature is carried out, and through this measurements we show that the anisotropy constant...Magíster en FísicaMaestría97 hojasapplication/pdfengUniandesMaestría en Ciencias - FísicaFacultad de CienciasDepartamento de Físicainstname:Universidad de los Andesreponame:Repositorio Institucional SénecaControl of magnetic anisotropy via phase transitions : magneto resistance effectTrabajo de grado - Maestríainfo:eu-repo/semantics/masterThesishttp://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85Texthttp://purl.org/redcol/resource_type/TMMagnetorresistencia - InvestigacionesAnisotropía - InvestigacionesFerromagnetismo - InvestigacionesFísicaPublication6ce2beec-157c-481d-8faa-d682fa74a732virtual::5255-16ce2beec-157c-481d-8faa-d682fa74a732virtual::5255-1https://scienti.minciencias.gov.co/cvlac/visualizador/generarCurriculoCv.do?cod_rh=0000154482virtual::5255-1THUMBNAILu821532.pdf.jpgu821532.pdf.jpgIM Thumbnailimage/jpeg2583https://repositorio.uniandes.edu.co/bitstreams/fd0ea5da-34a9-4d4e-8239-68e27e4d19b3/download268dbcc808c2c0ff6727613c0fdaef89MD55TEXTu821532.pdf.txtu821532.pdf.txtExtracted texttext/plain182989https://repositorio.uniandes.edu.co/bitstreams/a6c5c91e-42ee-43ee-89b5-278aaea4a0da/download6f183ba65ae57f784004b417afbbd1c5MD54ORIGINALu821532.pdfapplication/pdf30463383https://repositorio.uniandes.edu.co/bitstreams/e5c1f77c-9069-45d0-acf3-52776ab42bb2/downloade06ff17ca7154f66f25e59c906e20005MD511992/34067oai:repositorio.uniandes.edu.co:1992/340672024-03-13 12:53:50.07http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/open.accesshttps://repositorio.uniandes.edu.coRepositorio institucional Sénecaadminrepositorio@uniandes.edu.co |