Propiedades electrónicas del candidato a semimetal de Weyl TaTe4 (2021)
El estudio de los estados topológicos la materia ha generado un gran interés en la comunidad científica en los últimos tiempos debido a los ricos detalles en sus texturas de espín, entre otras características, las cuales son extremadamente prometedores en aplicaciones de espintrónica, computación cuántica y fabricación de dispositivos optoelectrónicos. Adicionalmente, estos estados presentan varias características no observadas en materiales ¿clásicos¿, tales como la presencia de estados conductores en los bordes de aislantes topológicos, o conos de Dirac en sus estructuras electrónicas que generan movilidades de carga elevadas en semimetales de Weyl o de Dirac. En este trabajo se estudiarán las propiedades electrónicas del compuesto TaTe4, candidato a semimetal de Weyl que además posee onda de densidad de carga (CDW) y su variación con dopaje químico con cobre. A partir de mediciones de magnetoresistencia se observó el efecto Shubnikov de Haas de manera muy precisa tal y como se reporta en la literatura para este compuesto, además para diferentes valores de dopaje químico se lograron observar indicios de posibles estados axiónicos en este material y también indicios de ferroelectricidad.