Propiedades electrónicas del candidato a semimetal de Weyl TaTe4
El estudio de los estados topológicos la materia ha generado un gran interés en la comunidad científica en los últimos tiempos debido a los ricos detalles en sus texturas de espín, entre otras características, las cuales son extremadamente prometedores en aplicaciones de espintrónica, computación cu...
- Autores:
-
Rojas Castillo, Julián David
- Tipo de recurso:
- Trabajo de grado de pregrado
- Fecha de publicación:
- 2021
- Institución:
- Universidad de los Andes
- Repositorio:
- Séneca: repositorio Uniandes
- Idioma:
- spa
- OAI Identifier:
- oai:repositorio.uniandes.edu.co:1992/55686
- Acceso en línea:
- http://hdl.handle.net/1992/55686
- Palabra clave:
- Espintrónica
Magnetismo
ferroelectricidad
Física
- Rights
- openAccess
- License
- http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
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El estudio de los estados topológicos la materia ha generado un gran interés en la comunidad científica en los últimos tiempos debido a los ricos detalles en sus texturas de espín, entre otras características, las cuales son extremadamente prometedores en aplicaciones de espintrónica, computación cuántica y fabricación de dispositivos optoelectrónicos. Adicionalmente, estos estados presentan varias características no observadas en materiales ¿clásicos¿, tales como la presencia de estados conductores en los bordes de aislantes topológicos, o conos de Dirac en sus estructuras electrónicas que generan movilidades de carga elevadas en semimetales de Weyl o de Dirac. En este trabajo se estudiarán las propiedades electrónicas del compuesto TaTe4, candidato a semimetal de Weyl que además posee onda de densidad de carga (CDW) y su variación con dopaje químico con cobre. A partir de mediciones de magnetoresistencia se observó el efecto Shubnikov de Haas de manera muy precisa tal y como se reporta en la literatura para este compuesto, además para diferentes valores de dopaje químico se lograron observar indicios de posibles estados axiónicos en este material y también indicios de ferroelectricidad. |
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