Dopaje de PEDOT:PSS con óxido de grafeno para la fabricación de celdas solares de perovskita

El óxido de grafeno (GO) es comúnmente utilizado en diversas aplicaciones como electrónica, almacenamiento de energía, biomedicina, entre otras. No obstante, los métodos de producción tradicional como el método de Hummers requieren gran cantidad de recursos, incluyendo reactivos químicos y largas escalas temporales. En esta investigación se replica el método desarrollado por Pei [7] para sintetizar el GO de forma más eficiente y con menor cantidad de reactivos el GO. El GO producido fue caracterizado con espectroscopía UV-vis, Raman y FTIR para comprobar que se hubiera producido efectivamente GO, además de medir con AFM el tamaño de las nanoláminas producidas. Adicionalmente, se utilizó el GO producido para estudiar las propiedades de conducción en la capa transportadora de huecos (HTL) de celdas solares de perovskita (PSCs). Para esto se dopó PEDOT:PSS, el cual es usado comúnmente como HTL, con GO y se realizaron medidas de efecto Hall utilizando la técnica de Van der Pauw con el fin de determinar la naturaleza y la densidad de los portadores de carga, obteniendo que al añadir GO al material original aumentaba también la densidad de portadores, mejorando las propiedades de transporte de esta capa.

• Autores: Castaño Soto, Mario Alberto
• Tipo de recurso: Trabajo de grado de pregrado
• Fecha de publicación: 2019
• Institución: Universidad de los Andes
• Repositorio: Séneca: repositorio Uniandes
• Idioma: spa
• OAI Identifier: oai:repositorio.uniandes.edu.co:1992/44498
• Acceso en línea: http://hdl.handle.net/1992/44498
• Palabra clave: Oxido de hierro; Dopado de semiconductores; Celdas solares; Perovskita; Física
• Rights: openAccess
• License: http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/