Variación de propiedades electrónicas del dicalcogenuro de metal de transición WSe2 a partir de dopaje químico
La búsqueda de nuevos y mejores materiales multiferroicos está motivada por las posibilidades que ofrecen la sintonización de propiedades magnéticas mediante la aplicación de un campo eléctrico o, viceversa, el control de la polarización eléctrica por campos magnéticos. En la actualidad, la familia...
- Autores:
-
Vega Bustos, Karen Alejandra
- Tipo de recurso:
- Doctoral thesis
- Fecha de publicación:
- 2022
- Institución:
- Universidad de los Andes
- Repositorio:
- Séneca: repositorio Uniandes
- Idioma:
- spa
- OAI Identifier:
- oai:repositorio.uniandes.edu.co:1992/70971
- Acceso en línea:
- https://hdl.handle.net/1992/70971
- Palabra clave:
- tungsteno selenio 2
materiales multiferroicos
Dicalcogenuros de metales de transición (TMD)
WSe2
Física
- Rights
- openAccess
- License
- CC0 1.0 Universal
Summary: | La búsqueda de nuevos y mejores materiales multiferroicos está motivada por las posibilidades que ofrecen la sintonización de propiedades magnéticas mediante la aplicación de un campo eléctrico o, viceversa, el control de la polarización eléctrica por campos magnéticos. En la actualidad, la familia de materiales vdW más investigada son los dicalcogenuros de metales de transición (TMD) por exhibir propiedades eléctricas, mecánicas y ópticas prometedoras. Dentro de los TMDs se tienen materiales que bajo ciertas condiciones se ha reportado ferroelectricidad o ferromagnetismo por separado (WTe2, MoS2, MoSe2, WS2, WSe2). En este trabajo, se estudia la variación de las propiedades electrónicas de monocristales de WSe2 a partir de dopaje con Telurio (Te). Como resultado de este dopaje químico, se encontró la presencia en simultáneo de estados ferromagnéticos y ferroeléctricos, es decir, multiferroicidad a temperatura ambiente en el bulk de este material (detectado por primera vez en los TMDs). Monocristales con diferentes niveles de dopaje de Te fueron caracterizados a partir de medidas de XRD, magnetización, microscopía PFM/AMF, y transporte eléctrico. A partir de estas últimas se detectaron propiedades multifuncionales de diodo, suicheo resistivo e histéresis capacitiva. |
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