Semiconductor parameter extractor
El proyecto desarrollado consistió en el diseño y simulación de un sistema de prueba para evaluar las características eléctricas de semiconductores como diodos, transistores BJT y MOSFET. Este sistema permitió medir parámetros críticos, incluyendo el voltaje de umbral, voltaje de ruptura, ganancia d...
- Autores:
-
Valero Alejo, Johan Sebastian
- Tipo de recurso:
- https://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f
- Fecha de publicación:
- 2025
- Institución:
- Universidad El Bosque
- Repositorio:
- Repositorio U. El Bosque
- Idioma:
- spa
- OAI Identifier:
- oai:repositorio.unbosque.edu.co:20.500.12495/14221
- Acceso en línea:
- https://hdl.handle.net/20.500.12495/14221
- Palabra clave:
- Semiconductores
Parámetros eléctricos
Simulación
Medición
Dispositivos
621.381
Semiconductors
Electrical parameters
Simulation
Measurement
Devices
- Rights
- License
- Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International