Semiconductor parameter extractor

El proyecto desarrollado consistió en el diseño y simulación de un sistema de prueba para evaluar las características eléctricas de semiconductores como diodos, transistores BJT y MOSFET. Este sistema permitió medir parámetros críticos, incluyendo el voltaje de umbral, voltaje de ruptura, ganancia de corriente y voltaje de saturación. La metodología implementada incluyó el diseño de circuitos de prueba, simulaciones con software especializado y análisis comparativo con las especificaciones de los datasheets. Los resultados destacaron la precisión del sistema propuesto. Por ejemplo, el voltaje forward del diodo 1N4148 fue de 669 mV, dentro del rango esperado de 0.7 V. Para el diodo Zener 1N4733A, el voltaje de ruptura medido fue de 5.077 V, con un error mínimo de 0.023 V respecto al datasheet. Asimismo, el MOSFET IRLZ44N presentó un voltaje de umbral de 3.65 V, cumpliendo con el rango especificado. Finalmente, la ganancia de corriente del transistor 2N3904 se midió en 68.5, validando su conformidad con los valores estándar. El sistema demostró ser una herramienta eficiente para identificar discrepancias entre las especificaciones de los componentes y los valores reales, lo que facilita la detección de fallos de fabricación o falsificación. Este desarrollo tiene aplicaciones potenciales en sectores que requieren alta confiabilidad, como la industria médica y la aviación.

• Autores: Valero Alejo, Johan Sebastian
• Tipo de recurso: https://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f
• Fecha de publicación: 2025
• Institución: Universidad El Bosque
• Repositorio: Repositorio U. El Bosque
• Idioma: spa
• OAI Identifier: oai:repositorio.unbosque.edu.co:20.500.12495/14221
• Acceso en línea: https://hdl.handle.net/20.500.12495/14221
• Palabra clave: Semiconductores; Parámetros eléctricos; Simulación; Medición; Dispositivos; 621.381; Semiconductors; Electrical parameters; Simulation; Measurement; Devices
• License: Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International