Transiscope-medidor de características de transistores y diodos
La creciente escasez de chips y en general de componente de la microelectrónica en los últimos años ha llevado a las industrias a buscar proveedores alternativos, aumentando el riesgo de falsificaciones en la cadena de suministro de componentes electrónicos. En este proyecto se realizaron los diseño...
- Autores:
-
Martínez, Diego Andrés
- Tipo de recurso:
- https://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f
- Fecha de publicación:
- 2024
- Institución:
- Universidad El Bosque
- Repositorio:
- Repositorio U. El Bosque
- Idioma:
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- OAI Identifier:
- oai:repositorio.unbosque.edu.co:20.500.12495/13547
- Acceso en línea:
- https://hdl.handle.net/20.500.12495/13547
- Palabra clave:
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La creciente escasez de chips y en general de componente de la microelectrónica en los últimos años ha llevado a las industrias a buscar proveedores alternativos, aumentando el riesgo de falsificaciones en la cadena de suministro de componentes electrónicos. En este proyecto se realizaron los diseños y simulaciones de circuitos de medición para obtener los valores rales de Voltaje forward en diodos, Voltaje de ruptura en diodos Zener, VCE(sat) y hFE en transistores NPN, y VGS(th) y RDS(on) en transistores MOSFET. Estos circuitos permiten comparar las propiedades eléctricas reales de los dispositivos con los valores especificados en las hojas de datos, con el fin de mejorar la calidad y confiabilidad de los componentes usados en las industrias. Los diseños se basaron en el comportamiento teórico de los componentes y en la información de sus hojas de datos, sin embargo, algunos dispositivos fueron reemplazados por otros componentes similares para poder obtener resultados en las simulaciones. Los resultados obtenidos se compararon con al menos tres referencias por características, logrando un error mínimo de 0.075%, lo que demuestra la precisión de los circuitos de medición diseñados. |
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Estos circuitos permiten comparar las propiedades eléctricas reales de los dispositivos con los valores especificados en las hojas de datos, con el fin de mejorar la calidad y confiabilidad de los componentes usados en las industrias. Los diseños se basaron en el comportamiento teórico de los componentes y en la información de sus hojas de datos, sin embargo, algunos dispositivos fueron reemplazados por otros componentes similares para poder obtener resultados en las simulaciones. Los resultados obtenidos se compararon con al menos tres referencias por características, logrando un error mínimo de 0.075%, lo que demuestra la precisión de los circuitos de medición diseñados.Ingeniero ElectrónicoPregradoThe growing shortage of chips and microelectronic components in recent years has led industries to seek alternative suppliers, increasing the risk of counterfeit components in the electronics supply chain. In this project, measurement circuit designs and simulations were carried out to obtain the real values of forward voltage in diodes, breakdown voltage in Zener diodes, VCE(sat) y hFE in NPN transistors, y VGS(th) y RDS(on) in MOSFET transistors. These circuits allow for the comparison of the actual electrical properties of the devices with the values specified in the datasheets, with the aim of improving the quality and reliability of components used in industry. The designs were based on the theoretical behavior of the components and the information in their datasheets; however, some devices were replaced with similar components to obtain results in the simulations. The results obtained were compared with at least three references per characteristic, achieving a minimum error of 0.075%, which demonstrates the accuracy of the designed measurement circuits.application/pdfAtribución-NoComercial-CompartirIgual 4.0 Internacionalhttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/Acceso abiertohttp:/purl.org/coar/access_right/c_abf2/http://purl.org/coar/access_right/c_abf2TransistoresDiodosCaracterización de parámetrosCalidadConfiabilidad621.381TrasistorsDiodesParameter characterizationQualityReliabilityTransiscope-medidor de características de transistores y diodosTransiscope-transistor and diodes characteristics meterIngeniería ElectrónicaUniversidad El BosqueFacultad de IngenieríaTesis/Trabajo de grado - Monografía - Pregradohttps://purl.org/coar/resource_type/c_7a1fhttp://purl.org/coar/resource_type/c_7a1finfo:eu-repo/semantics/bachelorThesishttps://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa[1] L. N. 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