Transiscope-medidor de características de transistores y diodos

La creciente escasez de chips y en general de componente de la microelectrónica en los últimos años ha llevado a las industrias a buscar proveedores alternativos, aumentando el riesgo de falsificaciones en la cadena de suministro de componentes electrónicos. En este proyecto se realizaron los diseños y simulaciones de circuitos de medición para obtener los valores rales de Voltaje forward en diodos, Voltaje de ruptura en diodos Zener, VCE(sat) y hFE en transistores NPN, y VGS(th) y RDS(on) en transistores MOSFET. Estos circuitos permiten comparar las propiedades eléctricas reales de los dispositivos con los valores especificados en las hojas de datos, con el fin de mejorar la calidad y confiabilidad de los componentes usados en las industrias. Los diseños se basaron en el comportamiento teórico de los componentes y en la información de sus hojas de datos, sin embargo, algunos dispositivos fueron reemplazados por otros componentes similares para poder obtener resultados en las simulaciones. Los resultados obtenidos se compararon con al menos tres referencias por características, logrando un error mínimo de 0.075%, lo que demuestra la precisión de los circuitos de medición diseñados.

• Autores: Martínez, Diego Andrés
• Tipo de recurso: https://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f
• Fecha de publicación: 2024
• Institución: Universidad El Bosque
• Repositorio: Repositorio U. El Bosque
• Idioma: spa
• OAI Identifier: oai:repositorio.unbosque.edu.co:20.500.12495/13547
• Acceso en línea: https://hdl.handle.net/20.500.12495/13547
• Palabra clave: Transistores; Diodos; Caracterización de parámetros; Calidad; Confiabilidad; 621.381; Trasistors; Diodes; Parameter characterization; Quality; Reliability
• License: Atribución-NoComercial-CompartirIgual 4.0 Internacional