Sistema para la medición de parámetros electrónicos en semiconductores (Paramcheck)

La problemática de este proyecto radica en la falta de herramientas accesibles para medir parámetros clave de componentes semiconductores, como diodos y transistores, agravada por variaciones en los procesos de fabricación y la proliferación de dispositivos falsificados en el mercado. Esto represent...

Full description

Autores:
Carrillo Martinez, Jose Luis
Tipo de recurso:
https://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f
Fecha de publicación:
2025
Institución:
Universidad El Bosque
Repositorio:
Repositorio U. El Bosque
Idioma:
spa
OAI Identifier:
oai:repositorio.unbosque.edu.co:20.500.12495/14223
Acceso en línea:
https://hdl.handle.net/20.500.12495/14223
Palabra clave:
Circuito electrónico
Semiconductor
Transistor
Ingeniería eléctrica
Instrumento de medida
621.381
Electronic circuit
Semiconductor
Transistor
Electrical engineering
Measuring instrument
Rights
License
Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International
id UNBOSQUE2_8832a01aef882e3d358f5513139718be
oai_identifier_str oai:repositorio.unbosque.edu.co:20.500.12495/14223
network_acronym_str UNBOSQUE2
network_name_str Repositorio U. El Bosque
repository_id_str
dc.title.none.fl_str_mv Sistema para la medición de parámetros electrónicos en semiconductores (Paramcheck)
dc.title.translated.none.fl_str_mv System for the measurement of electronic parameters in semiconductors (Paramcheck)
title Sistema para la medición de parámetros electrónicos en semiconductores (Paramcheck)
spellingShingle Sistema para la medición de parámetros electrónicos en semiconductores (Paramcheck)
Circuito electrónico
Semiconductor
Transistor
Ingeniería eléctrica
Instrumento de medida
621.381
Electronic circuit
Semiconductor
Transistor
Electrical engineering
Measuring instrument
title_short Sistema para la medición de parámetros electrónicos en semiconductores (Paramcheck)
title_full Sistema para la medición de parámetros electrónicos en semiconductores (Paramcheck)
title_fullStr Sistema para la medición de parámetros electrónicos en semiconductores (Paramcheck)
title_full_unstemmed Sistema para la medición de parámetros electrónicos en semiconductores (Paramcheck)
title_sort Sistema para la medición de parámetros electrónicos en semiconductores (Paramcheck)
dc.creator.fl_str_mv Carrillo Martinez, Jose Luis
dc.contributor.advisor.none.fl_str_mv Ariza Guerrero, Holman Alexander
Sabogal Gomez, Ernesto
dc.contributor.author.none.fl_str_mv Carrillo Martinez, Jose Luis
dc.subject.none.fl_str_mv Circuito electrónico
Semiconductor
Transistor
Ingeniería eléctrica
Instrumento de medida
topic Circuito electrónico
Semiconductor
Transistor
Ingeniería eléctrica
Instrumento de medida
621.381
Electronic circuit
Semiconductor
Transistor
Electrical engineering
Measuring instrument
dc.subject.ddc.none.fl_str_mv 621.381
dc.subject.keywords.none.fl_str_mv Electronic circuit
Semiconductor
Transistor
Electrical engineering
Measuring instrument
description La problemática de este proyecto radica en la falta de herramientas accesibles para medir parámetros clave de componentes semiconductores, como diodos y transistores, agravada por variaciones en los procesos de fabricación y la proliferación de dispositivos falsificados en el mercado. Esto representa un obstáculo para el diseño de circuitos electrónicos, ya que los valores reportados en las hojas de datos (datasheets) no siempre coinciden con el comportamiento real de los dispositivos en condiciones operativas. La incertidumbre sobre los parámetros puede generar diseños menos fiables, lo que destaca la necesidad de herramientas de medición precisas y accesibles. Aunque existen métodos y dispositivos para caracterizar estos parámetros, los sistemas de medición disponibles son costosos y no siempre accesibles para los diseñadores, lo que compromete el rendimiento y la fiabilidad de los sistemas electrónicos en aplicaciones donde la precisión es crucial. En este contexto, el proyecto se enfocó en el desarrollo de un sistema autónomo que permita medir y analizar parámetros específicos de semiconductores, como el voltaje de ruptura (Vz) en diodos Zener, el voltaje directo (Vf) en diodos comunes, y la ganancia de corriente (β) en transistores bipolares. La meta fue crear una herramienta accesible y robusta que permita a los usuarios obtener lecturas reales de los componentes provenientes de distintas fuentes y lotes. Durante el desarrollo del proyecto, se llevaron a cabo pruebas y simulaciones para validar el sistema y su precisión en la medición de los parámetros clave. El principal resultado del proyecto fue un sistema que ofrece a los ingenieros una forma de verificar el desempeño de los componentes sin depender de instrumentación externa. Esto representa una solución práctica para entornos de diseño y prueba, donde la verificación de componentes es fundamental para garantizar el correcto funcionamiento de circuitos electrónicos en aplicaciones experimentales y de enseñanza.
publishDate 2025
dc.date.accessioned.none.fl_str_mv 2025-03-31T16:55:53Z
dc.date.available.none.fl_str_mv 2025-03-31T16:55:53Z
dc.date.issued.none.fl_str_mv 2025-01
dc.type.coar.fl_str_mv http://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f
dc.type.local.spa.fl_str_mv Tesis/Trabajo de grado - Monografía - Pregrado
dc.type.coar.none.fl_str_mv https://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f
dc.type.driver.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
dc.type.coarversion.none.fl_str_mv https://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
format https://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f
dc.identifier.uri.none.fl_str_mv https://hdl.handle.net/20.500.12495/14223
dc.identifier.instname.spa.fl_str_mv instname:Universidad El Bosque
dc.identifier.reponame.spa.fl_str_mv reponame:Repositorio Institucional Universidad El Bosque
dc.identifier.repourl.none.fl_str_mv repourl:https://repositorio.unbosque.edu.co
url https://hdl.handle.net/20.500.12495/14223
identifier_str_mv instname:Universidad El Bosque
reponame:Repositorio Institucional Universidad El Bosque
repourl:https://repositorio.unbosque.edu.co
dc.language.iso.fl_str_mv spa
language spa
dc.relation.references.none.fl_str_mv [1] “Transistor Tester M328”, https://oshwlab.com/wegi1/m328-transistor-tester.
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dc.rights.en.fl_str_mv Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International
dc.rights.coar.fl_str_mv http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
dc.rights.uri.none.fl_str_mv http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
dc.rights.local.spa.fl_str_mv Acceso abierto
dc.rights.accessrights.none.fl_str_mv https://purl.org/coar/access_right/c_abf2
rights_invalid_str_mv Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
Acceso abierto
https://purl.org/coar/access_right/c_abf2
http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
dc.format.mimetype.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.program.spa.fl_str_mv Ingeniería Electrónica
dc.publisher.grantor.spa.fl_str_mv Universidad El Bosque
dc.publisher.faculty.spa.fl_str_mv Facultad de Ingeniería
institution Universidad El Bosque
bitstream.url.fl_str_mv https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/83890ac1-3d73-4977-bd69-46c42a64af0e/download
https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/341507e6-e19e-4892-8acc-840dec8fa6bb/download
https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/3e770c01-1c70-4407-8942-80216c2c41fd/download
https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/b05a743d-0f65-4a7d-a2a4-ac4006caa36e/download
https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/601aa934-c61d-4a51-8aaa-f89a00ad4e67/download
https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/e56d31f0-5565-423c-85db-7294814be0fb/download
https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/9df67908-87c7-4d6f-bf9d-c64bd9178a85/download
https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/34dbd139-bcce-47d4-a15f-f400ecb7b9af/download
https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/07702f36-6db5-4209-a8e7-bddecdc7dd9a/download
bitstream.checksum.fl_str_mv 17cc15b951e7cc6b3728a574117320f9
7ea8e3b8de68b6fadf2eba34ce23901e
70b8a7ffe27cbf7fe2c36a596d699e08
006ee349470cd0cd17115cefd7034583
946b8ba7d8634d6571ea6a0a612dd793
ab830017d29078be139696551d66229e
5643bfd9bcf29d560eeec56d584edaa9
2e4850672d74d191e30d14bef96802f4
70470a982ca06a8404e974c22fbd3a49
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv MD5
MD5
MD5
MD5
MD5
MD5
MD5
MD5
MD5
repository.name.fl_str_mv Repositorio Institucional Universidad El Bosque
repository.mail.fl_str_mv bibliotecas@biteca.com
_version_ 1831931396253286400
spelling Ariza Guerrero, Holman AlexanderSabogal Gomez, ErnestoCarrillo Martinez, Jose Luis2025-03-31T16:55:53Z2025-03-31T16:55:53Z2025-01https://hdl.handle.net/20.500.12495/14223instname:Universidad El Bosquereponame:Repositorio Institucional Universidad El Bosquerepourl:https://repositorio.unbosque.edu.coLa problemática de este proyecto radica en la falta de herramientas accesibles para medir parámetros clave de componentes semiconductores, como diodos y transistores, agravada por variaciones en los procesos de fabricación y la proliferación de dispositivos falsificados en el mercado. Esto representa un obstáculo para el diseño de circuitos electrónicos, ya que los valores reportados en las hojas de datos (datasheets) no siempre coinciden con el comportamiento real de los dispositivos en condiciones operativas. La incertidumbre sobre los parámetros puede generar diseños menos fiables, lo que destaca la necesidad de herramientas de medición precisas y accesibles. Aunque existen métodos y dispositivos para caracterizar estos parámetros, los sistemas de medición disponibles son costosos y no siempre accesibles para los diseñadores, lo que compromete el rendimiento y la fiabilidad de los sistemas electrónicos en aplicaciones donde la precisión es crucial. En este contexto, el proyecto se enfocó en el desarrollo de un sistema autónomo que permita medir y analizar parámetros específicos de semiconductores, como el voltaje de ruptura (Vz) en diodos Zener, el voltaje directo (Vf) en diodos comunes, y la ganancia de corriente (β) en transistores bipolares. La meta fue crear una herramienta accesible y robusta que permita a los usuarios obtener lecturas reales de los componentes provenientes de distintas fuentes y lotes. Durante el desarrollo del proyecto, se llevaron a cabo pruebas y simulaciones para validar el sistema y su precisión en la medición de los parámetros clave. El principal resultado del proyecto fue un sistema que ofrece a los ingenieros una forma de verificar el desempeño de los componentes sin depender de instrumentación externa. Esto representa una solución práctica para entornos de diseño y prueba, donde la verificación de componentes es fundamental para garantizar el correcto funcionamiento de circuitos electrónicos en aplicaciones experimentales y de enseñanza.Ingeniero ElectrónicoPregradoThe problem addressed by this project lies in the lack of accessible tools to measure key parameters of semiconductor components, such as diodes and transistors, compounded by variations in manufacturing processes and the proliferation of counterfeit devices in the market. This represents an obstacle for the design of electronic circuits, as the values reported in datasheets do not always align with the real behavior of devices under operational conditions. Uncertainty about the parameters can lead to less reliable designs, highlighting the need for accurate and accessible measurement tools. Although methods and devices exist to characterize these parameters, the available measurement systems are expensive and not always accessible to designers, compromising the performance and reliability of electronic systems in applications where precision is crucial. In this context, the project focused on developing an autonomous system that can measure and analyze specific semiconductor parameters, such as the breakdown voltage (Vz) of Zener diodes, the forward voltage (Vf) of regular diodes, and the current gain (β) of bipolar transistors. The goal was to create an accessible and robust tool that allows users to obtain real readings of components from different sources and batches. During the project development, tests and simulations were conducted to validate the system and its accuracy in measuring key parameters. The main result of the project was a system that provides engineers with a way to verify component performance without relying on external instrumentation. This represents a practical solution for design and testing environments, where component verification is essential to ensure the proper functioning of electronic circuits in experimental and educational applications.application/pdfAttribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 Internationalhttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/Acceso abiertohttps://purl.org/coar/access_right/c_abf2http://purl.org/coar/access_right/c_abf2Circuito electrónicoSemiconductorTransistorIngeniería eléctricaInstrumento de medida621.381Electronic circuitSemiconductorTransistorElectrical engineeringMeasuring instrumentSistema para la medición de parámetros electrónicos en semiconductores (Paramcheck)System for the measurement of electronic parameters in semiconductors (Paramcheck)Ingeniería ElectrónicaUniversidad El BosqueFacultad de IngenieríaTesis/Trabajo de grado - Monografía - Pregradohttps://purl.org/coar/resource_type/c_7a1fhttp://purl.org/coar/resource_type/c_7a1finfo:eu-repo/semantics/bachelorThesishttps://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa[1] “Transistor Tester M328”, https://oshwlab.com/wegi1/m328-transistor-tester.[2] Ed Lipiansky, Electronic Devices: Diodes, BJTs, and MOSFETs. 2013.[3] U. Guin, K. Huang, D. Dimase, J. M. Carulli, M. Tehranipoor, y Y. Makris, “Counterfeit integrated circuits: A rising threat in the global semiconductor supply chain”, Proceedings of the IEEE, vol. 102, núm. 8, pp. 1207–1228, 2014, doi: 10.1109/JPROC.2014.2332291.[4] U. Guin y M. Tehranipoor, “Counterfeit Detection and Technology Assessment”.[5] Andrej Kanovsky, Pavol Spanik, y Michal Frivaldsky, “Detection of electronic counterfeit components”, Proceedings of the IEEE, 2015, Consultado: el 6 de noviembre de 2024. [En línea]. Disponible en: https://ieeexplore.ieee.org/document/7161140[6] “Taller de Diseño-Opción de Grado 1. Problema”.[7] Muhammad H. Rashid, Electronica de potencia. 1993.[8] “MCP4725 Features”, 2009.[9] “MCP4725 12-Bit DAC Tutorial”. [En línea]. Disponible en: https://learn.adafruit.com/mcp4725-12-bit-dac-tutorial[10] “Adafruit GFX Graphics Library”. [En línea]. Disponible en: https://learn.adafruit.com/adafruit-gfx-graphics-libraryspaLICENSElicense.txtlicense.txttext/plain; charset=utf-82000https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/83890ac1-3d73-4977-bd69-46c42a64af0e/download17cc15b951e7cc6b3728a574117320f9MD52Carta de autorizacion.pdfapplication/pdf199399https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/341507e6-e19e-4892-8acc-840dec8fa6bb/download7ea8e3b8de68b6fadf2eba34ce23901eMD55Anexo 1 acta de aprobacion.pdfapplication/pdf302164https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/3e770c01-1c70-4407-8942-80216c2c41fd/download70b8a7ffe27cbf7fe2c36a596d699e08MD56ORIGINALTrabajo de grado.pdfTrabajo de grado.pdfapplication/pdf3377424https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/b05a743d-0f65-4a7d-a2a4-ac4006caa36e/download006ee349470cd0cd17115cefd7034583MD53Anexo 2.inoapplication/octet-stream24139https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/601aa934-c61d-4a51-8aaa-f89a00ad4e67/download946b8ba7d8634d6571ea6a0a612dd793MD57Anexo 3.pdsprjapplication/octet-stream36860https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/e56d31f0-5565-423c-85db-7294814be0fb/downloadab830017d29078be139696551d66229eMD58CC-LICENSElicense_rdflicense_rdfapplication/rdf+xml; charset=utf-81160https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/9df67908-87c7-4d6f-bf9d-c64bd9178a85/download5643bfd9bcf29d560eeec56d584edaa9MD54TEXTTrabajo de grado.pdf.txtTrabajo de grado.pdf.txtExtracted texttext/plain102173https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/34dbd139-bcce-47d4-a15f-f400ecb7b9af/download2e4850672d74d191e30d14bef96802f4MD59THUMBNAILTrabajo de grado.pdf.jpgTrabajo de grado.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg2588https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/07702f36-6db5-4209-a8e7-bddecdc7dd9a/download70470a982ca06a8404e974c22fbd3a49MD51020.500.12495/14223oai:repositorio.unbosque.edu.co:20.500.12495/142232025-04-01 05:07:12.084http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 Internationalopen.accesshttps://repositorio.unbosque.edu.coRepositorio Institucional Universidad El Bosquebibliotecas@biteca.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