Diseño de sistema de medición de parámetros reales en diodos
Este proyecto aborda el problema de la dependencia exclusiva de los valores nominales proporcionados en los datasheets para diodos y transistores, los cuales pueden no reflejar con precisión su comportamiento real debido a factores como tolerancias de fabricación, condiciones ambientales y envejecim...
- Autores:
-
Díaz Arévalo, Arnold Andrés Felipe
Robayo Acosta, Daniel Felipe
- Tipo de recurso:
- https://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f
- Fecha de publicación:
- 2024
- Institución:
- Universidad El Bosque
- Repositorio:
- Repositorio U. El Bosque
- Idioma:
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- OAI Identifier:
- oai:repositorio.unbosque.edu.co:20.500.12495/13543
- Acceso en línea:
- https://hdl.handle.net/20.500.12495/13543
- Palabra clave:
- Diodo
Transistor
Medición
Parámetros
Circuitos
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Circuits
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- License
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Este proyecto aborda el problema de la dependencia exclusiva de los valores nominales proporcionados en los datasheets para diodos y transistores, los cuales pueden no reflejar con precisión su comportamiento real debido a factores como tolerancias de fabricación, condiciones ambientales y envejecimiento. Para solucionar esta limitación, se diseñó un sistema de medición capaz de obtener parámetros reales y críticos de estos dispositivos, como la tensión umbral en diodos, la ganancia de corriente en transistores BJT, el voltaje Gate-Source y la resistencia Drain-Source en encendido de transistores MOSFET. El sistema integra módulos que cumplen con los rangos y resoluciones necesarios para garantizar mediciones confiables y precisas en condiciones reales de operación. Entre las principales conclusiones, se destaca que el diseño propuesto permite caracterizar los componentes de forma más precisa que los valores teóricos, facilitando su integración en aplicaciones electrónicas. Además, se logró cumplir con los requerimientos establecidos, proporcionando una herramienta que contribuye al diseño de circuitos más estables y eficientes, mejorando la confiabilidad de los sistemas que dependen de dispositivos semiconductores. Este diseño representa un avance significativo hacia la mejora de la caracterización y el ajuste de componentes electrónicos en entornos prácticos. |
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El sistema integra módulos que cumplen con los rangos y resoluciones necesarios para garantizar mediciones confiables y precisas en condiciones reales de operación. Entre las principales conclusiones, se destaca que el diseño propuesto permite caracterizar los componentes de forma más precisa que los valores teóricos, facilitando su integración en aplicaciones electrónicas. Además, se logró cumplir con los requerimientos establecidos, proporcionando una herramienta que contribuye al diseño de circuitos más estables y eficientes, mejorando la confiabilidad de los sistemas que dependen de dispositivos semiconductores. Este diseño representa un avance significativo hacia la mejora de la caracterización y el ajuste de componentes electrónicos en entornos prácticos.Ingeniero ElectrónicoPregradoThis project addresses the problem of exclusive dependence on the nominal values provided in datasheets for diodes and transistors, which may not accurately reflect their actual behavior due to factors such as manufacturing tolerances, environmental conditions and aging. To solve this limitation, a measurement system was designed to obtain real and critical parameters of these devices, such as the threshold voltage in diodes, the current gain in BJT transistors, the Gate-Source voltage and the Drain-Source resistance in MOSFET transistors. The system integrates modules that meet the necessary ranges and resolutions to guarantee reliable and accurate measurements under real operating conditions. Among the main conclusions, it is highlighted that the proposed design allows characterizing the components more accurately than the theoretical values, facilitating their integration in electronic applications. In addition, the established requirements were met, providing a tool that contributes to the design of more stable and efficient circuits, improving the reliability of systems that depend on semiconductor devices. This design represents a significant advance towards improving the characterization and adjustment of electronic components in practical environments.application/pdfAtribución-NoComercial-CompartirIgual 4.0 Internacionalhttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/Acceso abiertohttp:/purl.org/coar/access_right/c_abf2/ http://purl.org/coar/access_right/c_abf2DiodoTransistorMediciónParámetrosCircuitos621.381DiodeTransistorMeasurementParametersCircuitsDiseño de sistema de medición de parámetros reales en diodosDesign of a system to measure real parameters in diodesIngeniería ElectrónicaUniversidad El BosqueFacultad de IngenieríaTesis/Trabajo de grado - Monografía - Pregradohttps://purl.org/coar/resource_type/c_7a1fhttp://purl.org/coar/resource_type/c_7a1finfo:eu-repo/semantics/bachelorThesishttps://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa[1] Texas Instruments, "LM317 Adjustable Regulator Datasheet", [Online]. 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