Sistema electrónico para la medición de parámetros en diodos y transistores (2025)
El proyecto aborda la discrepancia entre los valores teóricos especificados por los fabricantes en las hojas de datos de componentes electrónicos y los valores reales obtenidos, así como la incidencia de falsificaciones y defectos de fabricación que afectan el desempeño de los circuitos electrónicos. Se desarrolló un sistema de medición y control automatizado para caracterizar dispositivos semiconductores, específicamente diodos y transistores BJT y MOSFET. El sistema integra un módulo de ajuste de voltaje controlado y un circuito de retroalimentación que permite capturar, registrar y analizar los datos medidos en cada componente con alta precisión. Entre los resultados más destacados se encuentran la determinación de parámetros como el voltaje umbral (Vf) con una precisión del ±0.5% y el voltaje de ruptura (Vz) con un margen de error del ±1% en diodos. Para los transistores BJT, se caracterizó el parámetro de ganancia de corriente (hFE) con una precisión del ±2% y el voltaje de saturación (VCE(sat)) con un error del ±1.5%. En los transistores MOSFET, se logró medir el voltaje umbral (VGS(th)) con una precisión del ±0.5% y la resistencia de encendido (RDS(on)) bajo condiciones controladas, con un margen de error inferior al ±2%. De esta manera, el sistema proporciona al usuario una caracterización detallada y confiable de los componentes, facilitando la evaluación de su calidad y desempeño en aplicaciones electrónicas.