Evaluación de parámetros eléctricos en semiconductores mediante un sistema autónomo de medición (2025)
La incertidumbre sobre el estado funcional de diodos y transistores, así como la discrepancia entre los valores reportados por los fabricantes y el desempeño real de estos dispositivos, evidencia la necesidad de herramientas capaces de determinar con precisión sus parámetros reales. En respuesta a este desafío, se desarrolló un sistema autónomo diseñado para medir parámetros esenciales como el coeficiente Beta (β), el voltaje de conducción directa y el voltaje de ruptura en diodos, además del voltaje compuerta-fuente y la resistencia en estado de conducción en MOSFETs. Este sistema incorpora funcionalidades avanzadas que aseguran mediciones precisas y confiables, dentro de rangos y resoluciones adecuadas para reflejar el comportamiento real de los componentes electrónicos. Durante su diseño, se implementaron módulos específicos que permiten identificar discrepancias frente a los valores nominales, mejorando así la caracterización de los dispositivos. Una de las principales ventajas del sistema radica en su capacidad para evaluar semiconductores con alta precisión, facilitando su uso en aplicaciones electrónicas más confiables y eficientes. Aunque se identificaron algunas variaciones menores en ciertos parámetros, el proyecto representa un importante paso hacia la optimización de la medición de semiconductores. Este avance abre camino para futuras mejoras y la ampliación de su uso en contextos industriales y académicos.