Estudio de capas (Ga,As)(In,N) obtenidas por magnetrón sputtering con posible aplicación en celdas solares

El estudio de materiales semiconductores III-V ha mantenido un fuerte interés en el campo de la investigación debido a sus aplicaciones en la tecnología de la optoelectrónica y las celdas solares. Es por eso que en el presente trabajo de tesis nos enfocamos en mostrar resultados experimentales de al...

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Autores:: Bernal Correa, Roberto Andrés

Tipo de recurso:: Doctoral thesis

Fecha de publicación:: 2016

Institución:: Universidad Nacional de Colombia

Repositorio:: Universidad Nacional de Colombia

Idioma:: spa

Description
Summary:	El estudio de materiales semiconductores III-V ha mantenido un fuerte interés en el campo de la investigación debido a sus aplicaciones en la tecnología de la optoelectrónica y las celdas solares. Es por eso que en el presente trabajo de tesis nos enfocamos en mostrar resultados experimentales de aleaciones semiconductoras III-V, específicamente capas de: GaAs, InGaAs, GaAsN y bicapas In/GaAs obtenidas por la técnica evaporación catódica asistida por campo magnético. Esta técnica de preparación permite controlar variables físicas involucradas en los procesos (tiempo, presión, temperatura y atmósfera), lo que hace que se convierta en una técnica ideal para obtener semiconductores. Con el fin de aprovechar esta versatilidad de la técnica de preparación, recolectamos información de las propiedades físicas de cada una de las muestras obtenidas, utilizando: difracción de rayos X, microscopía Raman, microscopía electrónica de barrido, microscopía de fuerza atómica, espectroscopia de masas de iones secundarios, espectroscopia foto-electrónica de rayos-x, UV-Vis, espectroscopia fotoacústica y efecto hall. Lo anterior permitió corroborar la obtención del semiconductor de interés en cada uno de los casos y además correlacionar propiedades ópticas y estructurales en función de algunas de las variables de las que se tiene control. A lo largo del documento se muestran valores experimentales obtenidos, como: ancho de banda, modos vibracionales y parámetros de red de cada una de las capas, resultados que están en buen acuerdo con reportes de la literatura. Con el fin de demostrar la posible aplicación de estos semiconductores en el campo de las celdas solares se realizó el diseño de una celda solar tipo tándem en base a semiconductores de la familia de los arseniuros obteniendo una eficiencia límite teórico del 38%. Finalmente en el documento se concluye sobre la relevancia de la preparación de este tipo de semiconductores por una técnica diferente a las convencionales (epitaxiales), aunque se aclara que tan solo es un pequeño paso en el acercamiento hacia la construcción de una celda solar III-V por la técnica magnetrón sputtering.

Estudio de capas (Ga,As)(In,N) obtenidas por magnetrón sputtering con posible aplicación en celdas solares

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