INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA DE SUSTRATO SOBRE LAS PROPIEDADES ÓPTICAS Y ESTRUCTURALES DE ALEACIONES GaSb:Ni
Películas delgadas de aleaciones ternarias de GaSb:Ni fueron preparadas por el método de pulverización catódica (DC magnetrón Co{Sputtering) variando la temperatura de sustrato (Ts). A partir de medidas de transmitancia espectral y difracción de rayos X (XRD) fueron obtenidas las constantes ópticas...
- Autores:
-
Quiroz, Heiddy P.
Dussan, Anderson
- Tipo de recurso:
- Article of journal
- Fecha de publicación:
- 2018
- Institución:
- Universidad Nacional de Colombia
- Repositorio:
- Universidad Nacional de Colombia
- Idioma:
- spa
- OAI Identifier:
- oai:repositorio.unal.edu.co:unal/67309
- Acceso en línea:
- https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/67309
http://bdigital.unal.edu.co/68338/
- Palabra clave:
- 53 Física / Physics
5 Ciencias naturales y matemáticas / Science
GaSb:Ni
Semiconductors, Metallic alloys.
GaSb:Ni, Semiconductores
Aleaciones metálicas
- Rights
- openAccess
- License
- Atribución-NoComercial 4.0 Internacional
Summary: | Películas delgadas de aleaciones ternarias de GaSb:Ni fueron preparadas por el método de pulverización catódica (DC magnetrón Co{Sputtering) variando la temperatura de sustrato (Ts). A partir de medidas de transmitancia espectral y difracción de rayos X (XRD) fueron obtenidas las constantes ópticas y las propiedades estructurales del material, respectivamente. Fases predominantes de GaSb y NiSb fueron observadas para todas las variaciones de Ts. A partir de medidas de absorción del material el valor de la banda de energía prohibida o “band gap” fue obtenido,variando entre 0,63 eV y 0,72 eV. Se reporta el coeficiente de extinción en función de la longitud de onda de las películas de GaSb:Ni. |
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