INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA DE SUSTRATO SOBRE LAS PROPIEDADES ÓPTICAS Y ESTRUCTURALES DE ALEACIONES GaSb:Ni

Películas delgadas de aleaciones ternarias de GaSb:Ni fueron preparadas por el método de pulverización catódica (DC magnetrón Co{Sputtering) variando la temperatura de sustrato (Ts). A partir de medidas de transmitancia espectral y difracción de rayos X (XRD) fueron obtenidas las constantes ópticas...

Full description

Autores:
Quiroz, Heiddy P.
Dussan, Anderson
Tipo de recurso:
Article of journal
Fecha de publicación:
2018
Institución:
Universidad Nacional de Colombia
Repositorio:
Universidad Nacional de Colombia
Idioma:
spa
OAI Identifier:
oai:repositorio.unal.edu.co:unal/67309
Acceso en línea:
https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/67309
http://bdigital.unal.edu.co/68338/
Palabra clave:
53 Física / Physics
5 Ciencias naturales y matemáticas / Science
GaSb:Ni
Semiconductors, Metallic alloys.
GaSb:Ni, Semiconductores
Aleaciones metálicas
Rights
openAccess
License
Atribución-NoComercial 4.0 Internacional
Description
Summary:Películas delgadas de aleaciones ternarias de GaSb:Ni fueron preparadas por el método de pulverización catódica (DC magnetrón Co{Sputtering) variando la temperatura de sustrato (Ts). A partir de medidas de transmitancia espectral y difracción de rayos X (XRD) fueron obtenidas las constantes ópticas y las propiedades estructurales del material, respectivamente. Fases predominantes de GaSb y NiSb fueron observadas para todas las variaciones de Ts. A partir de medidas de absorción del material el valor de la banda de energía prohibida o “band gap” fue obtenido,variando entre 0,63 eV y 0,72 eV. Se reporta el coeficiente de extinción en función de la longitud de onda de las películas de GaSb:Ni.