Complejos bihidrogenoides confinados en pozos cuánticos GaAs-Ga1-XaLxAS

Hace alrededor de dos décadas, las investigaciones de punta en la fabricación de dispositivos electrónicos, se basaban en el crecimiento de películas delgadas con espesores del orden de los micrones, los cuales tenían al Silicio como material más importante. Teniendo presente que la mayoría de propi...

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Autores:: Marìn Cadavid, Jairo Humberto

Tipo de recurso:: Work document

Fecha de publicación:: 2001

Institución:: Universidad Nacional de Colombia

Repositorio:: Universidad Nacional de Colombia

Idioma:: spa

Description
Summary:	Hace alrededor de dos décadas, las investigaciones de punta en la fabricación de dispositivos electrónicos, se basaban en el crecimiento de películas delgadas con espesores del orden de los micrones, los cuales tenían al Silicio como material más importante. Teniendo presente que la mayoría de propiedades de interés, relacionadas con sistemas de electrones, son fuertemente dependientes de la dimensionalidad, varios físicos se dieron a la tarea de fabricar nuevos materiales basados en capas delgadas de aleaciones semiconductoras. Los sistemas semiconductores mas estudiados son las súper-redes, las cuales se basan en el uso de dos semiconductores, A y B, dispuestos a manera de emparedado (ABA). Dado que el espesor de la capa central puede llegar a ser hasta de 20A; es decir, menor que la longitud de onda característica de los electrones, estos quedan atrapados en dicha capa. Con este confinamiento los electrones pierden un grado de libertad, dando lugar a un sistema bidimensional conocido como pozo cuántico. Es posible reducir aun mas la dimensión del sistema y esto se logra haciendo un corte muy delgado del material en una dirección perpendicular a los planos, obteniéndose así un sistema unidimensional (1D) denominado hilo cuántico. La situación extrema se obtiene realizando un nuevo corte, de tal manera que ahora se obtiene un punto cuántico de dimensión cero. Con la disminución de la dimensión se obliga a los electrones a ocupar diferentes estados energéticos, dando lugar al surgimiento de propiedades completamente novedosas, nunca antes observadas en otros sistemas físicos. En el caso particular de las súper-redes, ellas se caracterizan por ser muy sensibles a defectos estructurales, como por ejemplo, la introducción de impurezas, lo cual permite utilizarlas en el diseño y construcción de nuevos dispositivos en áreas como : Microelectrónica, utilizando circuitos integrados muchísimo mas pequeños y de mayor velocidad de funcionamiento que los actuales; optoelectrónica, donde se unen laseres y dispositivos electrónicos convencionales, de tal manera que se pueda integrar electrones y fotones a fin de fabricar ordenadores y redes de comunicación mas potentes y rápidas. También se construyen laseres de pozo cuántico, más diminutos y rentables, los cuales permiten codificar un número mayor de datos a través de una fibra óptica. Finalmente, se sueña con la posibilidad de construir un súper ordenador, de un tamaño muchísimo menor que los actuales, los cuales puedan tener conmutadores de función múltiple que operen en paralelo. En estos sistemas también aparecen nuevos efectos, tales como: Efectos Hall cuántico fraccionario, transición metal-aislante, transiciones de Wingner, localización de electrones mediante campos magnéticos intensos y estados de impurezas centradas y descentradas en pozos cuánticos. A partir de estos efectos y con estos sistemas de baja dimensionalidad se ha podido construir, entre otros, los siguientes elementos: LED, transistores, chips, pilas solares, detectores de rayos X, laseres de pozo cuántico, receptores de micro-ondas, etc.

Complejos bihidrogenoides confinados en pozos cuánticos GaAs-Ga1-XaLxAS

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