Propiedades electrónicas de bicapas de grafeno formando patrones de moiré
En este trabajo se estudió la estructura de bandas electrónicas de bicapas hexagonales de grafeno-grafeno y nitruro de boro-nitruro de boro introduciendo una rotación entre capas, formando estructuras periódicas conocidas como patrones de moiré. Usando una aproximación de amarre fuerte o tight bindi...
- Autores:
-
Wu Mei, Wei Shan
- Tipo de recurso:
- Fecha de publicación:
- 2017
- Institución:
- Universidad Nacional de Colombia
- Repositorio:
- Universidad Nacional de Colombia
- Idioma:
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- OAI Identifier:
- oai:repositorio.unal.edu.co:unal/77386
- Acceso en línea:
- https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/77386
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- Palabra clave:
- Aproximación de amarre fuerte
Bicapas grafeno
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Patrones de moiré
Interacción de Vand der Waals
Teorema de conmensurabilidad
Conos de Dirac
Estructura de Bandas
Estado solido
Tight binding aproximation
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Atribución-NoComercial 4.0 InternacionalDerechos reservados - Universidad Nacional de Colombiahttp://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0/info:eu-repo/semantics/openAccesshttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2Rey González, Rafael Ramónb0d8611f499207fe6d4ef02c2ac1b983400Wu Mei, Wei Shanc1147128-305f-4393-927a-bd5e570a93033002020-03-30T06:48:59Z2020-03-30T06:48:59Z2017-11-29https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/77386http://bdigital.unal.edu.co/75143/En este trabajo se estudió la estructura de bandas electrónicas de bicapas hexagonales de grafeno-grafeno y nitruro de boro-nitruro de boro introduciendo una rotación entre capas, formando estructuras periódicas conocidas como patrones de moiré. Usando una aproximación de amarre fuerte o tight binding semi-empírico con interacción a primeros vecinos, un solo orbital por sitio y con ayuda de un código computacional propio, se calculan las estructuras de bandas alrededor de los puntos de Dirac. Se encuentra que para bicapas de grafeno rotadas a diferentes valores de ángulo no se presentan valores de banda de energía prohibida, en su lugar los niveles de energía son degenerados y no lineales asociadas a valores de masa efectiva de portadores de carga no nula, alrededor de los puntos de Dirac K. Por otro lado, para el caso de las bicapas de nitruro de boro se encuentra que es posible modular el ancho de las bandas prohibidas como función del ángulo. (Texto tomado de la fuente)In this work, we show that there is a band gap for boron nitride bilayers when a change of geometrical configurations, such as rotations, is introduced. In contrast, no bandgap was obtained for graphene bilayers under different angles. This result is valid for infinitely extended and perfectly flat bilayers at low temperatures. We used a low energy approximation close to Dirac points in a semi-empiric tight-binding approximation and considered only nearest neighbors approximations and one orbital per site. We showed that it might be feasible to obtain a different bandgap value in bilayered semiconductors of boron nitride-boron nitrate bilayers by only changing the geometrical setup. In this work, boron nitride-boron nitride bilayers display a bandgap value from 0.73 eV to 4.5 eV. We encourage measurements and tests for these systems to measure the bandgap and test this prediction at low-temperature setups.Maestríaapplication/pdfspaUniversidad Nacional de Colombia Sede Bogotá Facultad de Ciencias Departamento de Física FísicaFísica53 Física / Physics6 Tecnología (ciencias aplicadas) / TechnologyWu Mei, Wei Shan (2017) Propiedades electrónicas de bicapas de grafeno formando patrones de moiré. Maestría thesis, Universidad Nacional de Colombia - Sede Bogotá.Propiedades electrónicas de bicapas de grafeno formando patrones de moiréElectronic properties of graphene bilayers forming moiré patternsTrabajo de grado - Maestríainfo:eu-repo/semantics/masterThesisinfo:eu-repo/semantics/acceptedVersionTexthttp://purl.org/redcol/resource_type/TMAproximación de amarre fuerteBicapas grafenoBicapas de nitruro de boroPatrones de moiréInteracción de Vand der WaalsTeorema de conmensurabilidadConos de DiracEstructura de BandasEstado solidoTight binding aproximationGraphene bilayerBoron nitrite bilayerMoire patternsVand der Waals interactionsConmensuration theoremDirac ConesBands structuresORIGINALweiwuv2.pdfweiwuv2.pdfTesis de Maestría en Ciencias Físicaapplication/pdf5353312https://repositorio.unal.edu.co/bitstream/unal/77386/1/weiwuv2.pdf3b061df6a60e6446ab1a9cf0e3a1f915MD51THUMBNAILweiwuv2.pdf.jpgweiwuv2.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg4181https://repositorio.unal.edu.co/bitstream/unal/77386/2/weiwuv2.pdf.jpg5bc2c18c8d28a602453ba9649bd81f32MD52unal/77386oai:repositorio.unal.edu.co:unal/773862024-07-17 23:13:35.342Repositorio Institucional Universidad Nacional de Colombiarepositorio_nal@unal.edu.co |
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En este trabajo se estudió la estructura de bandas electrónicas de bicapas hexagonales de grafeno-grafeno y nitruro de boro-nitruro de boro introduciendo una rotación entre capas, formando estructuras periódicas conocidas como patrones de moiré. Usando una aproximación de amarre fuerte o tight binding semi-empírico con interacción a primeros vecinos, un solo orbital por sitio y con ayuda de un código computacional propio, se calculan las estructuras de bandas alrededor de los puntos de Dirac. Se encuentra que para bicapas de grafeno rotadas a diferentes valores de ángulo no se presentan valores de banda de energía prohibida, en su lugar los niveles de energía son degenerados y no lineales asociadas a valores de masa efectiva de portadores de carga no nula, alrededor de los puntos de Dirac K. Por otro lado, para el caso de las bicapas de nitruro de boro se encuentra que es posible modular el ancho de las bandas prohibidas como función del ángulo. (Texto tomado de la fuente) |
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