PROPIEDADES ELECTRÓNICAS DE SISTEMAS TIPO PANAL DE ABEJAS EN DOS DIMENSIONES. UN ESTUDIO AB INITIO
Las novedosas propiedades del grafeno han motivado la búsqueda de materiales que presenten características similares. En el presente artículo se estudian la estabilidad química y la estructura de bandas de monocapas hexagonales de GaAs y GaN, usando un formalismo de primeros principios.Los resultado...
- Autores:
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Rojas-Cuervo, Ángela M.
Fonseca-Romero, Karen M.
Rey-González, Rafael R.
- Tipo de recurso:
- Article of journal
- Fecha de publicación:
- 2015
- Institución:
- Universidad Nacional de Colombia
- Repositorio:
- Universidad Nacional de Colombia
- Idioma:
- spa
- OAI Identifier:
- oai:repositorio.unal.edu.co:unal/67381
- Acceso en línea:
- https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/67381
http://bdigital.unal.edu.co/68410/
- Palabra clave:
- 53 Física / Physics
5 Ciencias naturales y matemáticas / Science
Hexagonal monolayers
Electronic properties
DFT
DOS.
Monocapas hexagonales
Propiedades electrónicas
DFT
DOS
- Rights
- openAccess
- License
- Atribución-NoComercial 4.0 Internacional
| Summary: | Las novedosas propiedades del grafeno han motivado la búsqueda de materiales que presenten características similares. En el presente artículo se estudian la estabilidad química y la estructura de bandas de monocapas hexagonales de GaAs y GaN, usando un formalismo de primeros principios.Los resultados obtenidos mediante el código SIESTA, como implementación de la Teoría del Funcional de la Densidad, muestran que el GaAs (GaN) es un semiconductor con una brecha de energía prohibida indirecta (directa) |
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