Síntesis de películas delgadas de ZnS por el método CBD y uso como capa buffer en celdas solares basadas en Cu(In,Ga)(S,Se)2

Empleando la técnica CBD (Chemical Bath Deposition) se optimizó la ruta de síntesis para el semiconductor ZnS usado como capa buffer en celdas solares basadas en Cu(In,Ga)(S,Se)2 en sustitución del CdS. Se correlacionó la variación de la turbidez de la solución con medidas de XPS para obtener el tie...

Full description

Autores:
Hurtado Morales, Mikel Fernando
Tipo de recurso:
Fecha de publicación:
2010
Institución:
Universidad Nacional de Colombia
Repositorio:
Universidad Nacional de Colombia
Idioma:
spa
OAI Identifier:
oai:repositorio.unal.edu.co:unal/6744
Acceso en línea:
https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/6744
http://bdigital.unal.edu.co/2840/
Palabra clave:
66 Ingeniería química y Tecnologías relacionadas/ Chemical engineering
54 Química y ciencias afines / Chemistry
Semiconductor
Película delgada
Celdas solares
ZnS
CBD
XPS
Thin film
Rights
openAccess
License
Atribución-NoComercial 4.0 Internacional
Description
Summary:Empleando la técnica CBD (Chemical Bath Deposition) se optimizó la ruta de síntesis para el semiconductor ZnS usado como capa buffer en celdas solares basadas en Cu(In,Ga)(S,Se)2 en sustitución del CdS. Se correlacionó la variación de la turbidez de la solución con medidas de XPS para obtener el tiempo de reacción que da lugar al espesor óptimo. Se fabricaron celdas con estructura Mo/CIGSSe/ZnS/Zn(S,O)/ZnO/Al con eficiencias de conversión del 13,83% y sus parpametros de desempeño fueron determinados a través de medidas de la característica I-V. / Abstract. ZnS thin films grown by CBD (Chemical Bath Deposition) were used as buffer in Cu(In,Ga)(S,Se)2 based solar cells in substitution of CdS. The transmittance of the light transmitted through the solution was correlated with XPS measurements to determine the reaction time wich lead to the optimum film thickness. Solar cells with structure Mo/CIGSSe/ZnS/Zn(S,O)/ZnO/Al and efficiencies of 13,83% were fabricated and their performance parameters determined through I-V measurements.