Estudio de las propiedades estructurales y electrónicas de la perovskita compleja La2BiMnO6
Durante los últimos años se ha incrementado el interés científico por los materiales tipo perovskita doble (A2BB` O6), debido a que estos presentan diversas e interesantes propiedades eléctricas y magnéticas, con posibles aplicaciones en la industria y nuevas tecnologías como en dispositivos espintr...
- Autores:
-
Garzón López, July Paola
- Tipo de recurso:
- Fecha de publicación:
- 2016
- Institución:
- Universidad Nacional de Colombia
- Repositorio:
- Universidad Nacional de Colombia
- Idioma:
- spa
- OAI Identifier:
- oai:repositorio.unal.edu.co:unal/58184
- Acceso en línea:
- https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/58184
http://bdigital.unal.edu.co/54821/
- Palabra clave:
- 5 Ciencias naturales y matemáticas / Science
53 Física / Physics
54 Química y ciencias afines / Chemistry
DFT
Perovskita
Reacción de estado sólido
Double Perovskite
Halfmetallic
- Rights
- openAccess
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Durante los últimos años se ha incrementado el interés científico por los materiales tipo perovskita doble (A2BB` O6), debido a que estos presentan diversas e interesantes propiedades eléctricas y magnéticas, con posibles aplicaciones en la industria y nuevas tecnologías como en dispositivos espintrónicos. En el presente trabajo, se realiza la síntesis de la perovskita por dos técnicas diferentes conocidas como reacción de estado sólido y método modificado de Pechini. La caracterización de la estructura cristalina se realizó por difracción de rayos X, encontrando que la fase mayoritaria corresponde a una estructura monoclínica, grupo espacial P21/n (# 14). El estudio teórico se realiza a través del código WIEN2k, que trabaja en el marco de la teoría DFT para los grupos P21/n (# 14), R-3 (# 148), I2/m (# 12) y Fm-3m (# 225). Con el fin de determinar la estructura del estado base se realizaron las optimizaciones del volumen, encontrando que la estructura de mínima energía corresponde al grupo espacial P21/n. A partir del estudio de densidad de estados (DOS) y estructura de bandas, se encontró un comportamiento halfmetallic, siendo semiconductor de gap indirecto para la configuración de espín down y conductor para el espín up. Se realiza el análisis de las contribuciones de los orbitales atómicos a la DOS, encontrando que los orbitales dxy, dyz, dxz, dx2-y2 y dx2 del manganeso son los causantes del comportamiento halfmetallic. |
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