DIFUSIVIDAD TÉRMICA DE MONO-CRISTALES DE GaSb Y Si(100)

En este trabajo, reportamos la caracterización de monocristales de Si(100) y GaSb(111) utilizando espectroscopia Raman y fotoacústica (principal interés) en configuración abierta y cerrada, para compuestos semiconductores III-V con estructura tipo zinc blenda, los espectros Raman generalmente muestran dos picos, un pico a baja frecuencia correspondiente a modos fononicos TO y un pico en alta frecuencia correspondiente a modos fononicos LO. Un fuerte pico es mostrado en la posición 226 cm−1 y uno un poco más débil en 237 cm−1, que son los modos TO y LO respectivamente, debido a la orientación cristalina del material. Con el fin de determinar la difusividad térmica de los materiales se utilizaron láseres con longitudes de onda de 650 nm y 535 nm. Los resultados de la difusividad térmica de los monocristales de Si y GaSb, obtenidos a partir del modelo de Rosencwaig y Gersho (RG) se analizaron en función de la orientación cristalográfica. Discutimos la recombinación no-radiativa que se origina en la superficie y en el volumen del cristal, que contribuye a la señal fotoacústica, en términos del tipo de celda y de la línea de excitación.

• Autores: Pulzara Mora, Alvaro; Bernal Correa, Roberto; Acevedo Rivas, Alvaro; Rosales Rivera, Andrés
• Tipo de recurso: Article of journal
• Fecha de publicación: 2015
• Institución: Universidad Nacional de Colombia
• Repositorio: Universidad Nacional de Colombia
• Idioma: spa
• OAI Identifier: oai:repositorio.unal.edu.co:unal/67374
• Acceso en línea: https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/67374; http://bdigital.unal.edu.co/68403/
• Palabra clave: 53 Física / Physics; 5 Ciencias naturales y matemáticas / Science; Photoacoustic; Semiconductors; non-radiative recombination.; Fotoacústica; Semiconductores; recombinación no radiativa.
• Rights: openAccess
• License: Atribución-NoComercial 4.0 Internacional