Producción y caracterización optoeléctrica de películas delgadas basadas en elementos II-VI (Zn, Se, ó, S, Te), para encontrar un sensor de respuesta espectral amplia (NUV–VIS) depositados sobre vidrio o Silicio Poroso.

En este trabajo de grado se fabricaron películas delgadas del compuesto binario ZnS y ternario ZnS1-xTex, a diferentes temperaturas de sustrato. Se realizó un estudio de la influencia de los parámetros de depósito y temperatura sobre las propiedades morfológicas, ópticas y optoeléctricas. La observa...

Full description

Autores:: Velasquez Andrade, Camilo Andres

Tipo de recurso:

Fecha de publicación:: 2017

Institución:: Universidad Nacional de Colombia

Repositorio:: Universidad Nacional de Colombia

Idioma:: spa

Description
Summary:	En este trabajo de grado se fabricaron películas delgadas del compuesto binario ZnS y ternario ZnS1-xTex, a diferentes temperaturas de sustrato. Se realizó un estudio de la influencia de los parámetros de depósito y temperatura sobre las propiedades morfológicas, ópticas y optoeléctricas. La observación de la influencia de los parámetros se dio a partir de la caracterización de los materiales mediante las técnicas experimentales de transmitancia espectral, difracción de rayos-x (XRD), fotocorriente y fotoluminiscencia. Utilizando un proceso de simulación de los espectros de transmitancia se determinó la variación espectral del índice de refracción del coeficiente de extinción y adicionalmente se determinó la banda de energía prohibida de los materiales. Se encontró que los materiales crecen con estructura cúbica, tienen bandas de energía prohibida o banda de energía prohibida del semiconductor de 3.66 eV para el material binario ZnS. En el material ternario se encontró que, dependiendo de la composición de la muestra, la banda de energía prohibida se puede variar controladamente durante el proceso de evaporación entre 2.20 eV hasta 3.20 eV. Se encontraron respuestas espectrales amplias en el visible en los espectros de fotoconductividad comprendidos entre 400 y 800 nm para los materiales ternarios. El ancho y posición de la señal fotoconductora se puede controlar en este intervalo espectral durante el proceso de preparación de los materiales. Los espectros de fotoluminiscencia abarcan la región comprendida entre 400 y 800 nm a temperatura ambiente.

Producción y caracterización optoeléctrica de películas delgadas basadas en elementos II-VI (Zn, Se, ó, S, Te), para encontrar un sensor de respuesta espectral amplia (NUV–VIS) depositados sobre vidrio o Silicio Poroso.

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