Producción de películas de nitruro-titanio-aluminio-vanadio (TiAlV)N variando la temperatura del sustrato por la técnica PAPVD

Se depositaron películas de (TiAlV)N sobre sustratos de acero 304 y H13 por medio de la técnica PAPVD por arco pulsado, variando la temperatura del sustrato en un rango desde temperatura ambiente hasta 300°C. Los recubrimientos fueron analizados por medio de las técnicas de espectroscopía de Fotoele...

Full description

Autores:
González Carmona, Juan Manuel
Tipo de recurso:
Fecha de publicación:
2007
Institución:
Universidad Nacional de Colombia
Repositorio:
Universidad Nacional de Colombia
Idioma:
spa
OAI Identifier:
oai:repositorio.unal.edu.co:unal/7212
Acceso en línea:
https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/7212
http://bdigital.unal.edu.co/3545/
Palabra clave:
53 Física / Physics
62 Ingeniería y operaciones afines / Engineering
Técnica PAPVD, películas de (TiAlV)N, Nitruros, Titanio, Aluminio, Vanadio, Acero, descargas Glow, descargas por arco, Películas delgadas, Revestimientos protectores pulsado
Rights
openAccess
License
Atribución-NoComercial 4.0 Internacional
Description
Summary:Se depositaron películas de (TiAlV)N sobre sustratos de acero 304 y H13 por medio de la técnica PAPVD por arco pulsado, variando la temperatura del sustrato en un rango desde temperatura ambiente hasta 300°C. Los recubrimientos fueron analizados por medio de las técnicas de espectroscopía de Fotoelectrones de Rayos X (XPS) para observar su composición química, Difracción de Rayos X (XRD) para analizar la estructura cristalina, parámetro de red, tamaño de cristalito, microstress y coeficiente de textura cristalográfica, Microscopía Electrónica de Barrido (SEM) para determinar su morfología, espectroscopia de Energía Dispersiva (EDS) para observar su composición química elemental con respecto a la influencia del cambio de la temperatura del sustrato en sus propiedades; además, se utilizo la Teoría de Densidad Funcional (DFT), para observar la distribución de cargas, los orbitales moleculares, la densidad de estados electrónicos, el potencial electrostático producido y calcular algunas magnitudes físicas con respecto a la variación de elementos sustituyentes en la celda unitaria (Texto tomado de la fuente)