Aleaciones Semi-magnéticas de GaSbMn para Aplicaciones en el Desarrollo de Sensores de Campo Magnético por Efecto Hall”

El desarrollo de sensores de efecto hall de campo magnético con semiconductores III-V con aleaciones magnéticas (Mn), ha despertado el interés de los investigadores debido a que tiene aplicaciones en diferentes áreas, principalmente en el campo de la espintrónica, como sensores de campo y memorias magnéticas de estado sólido. Por esta razón, en este trabajo nos enfocamos en estudiar las propiedades magnéticas, eléctricas, morfológicas y estructurales de películas delgadas de GaSbMn depositadas mediante la técnica de pulverización catódica asistida por campo magnético (r.f. Magnetron Sputtering). El material semiconductor GaSb es importante en una variedad de aplicaciones como en la optoelectrónica, el cual posee un ancho de banda de 0.7 eV; Especialmente en sistemas fotovoltaicos, ya que su respuesta óptica en longitud de onda es mucho más grande que las celdas solares basadas en silicio (Si). Cuando el Mn se introduce en la matriz GaSb, se obtiene nuevas propiedades que son importantes en el campo de la espintrónica, debido a que la distribución espacial de electrones y huecos puede ser controlado, dando como resultado que el ternario GaSbMn presente un comportamiento semi-magnético importante. Las películas delgadas fueron depositadas sobre sustrato de silicio con orientación preferencial (111), usando blancos de GaSb y Mn con un 99.9% de pureza. Las propiedades de las muestras fueron estudiadas variando la temperatura de crecimiento y dejando otros parámetros constantes como la presión y la potencia de los blancos; es importante estudiar los efectos de la temperatura sobre la película depositada ya que esto puede generar cambios en las propiedades eléctricas, magnéticas, estructurales y morfológicas de la misma. Para analizar las muestras se utilizaron técnicas de caracterización como: difracción de rayos X (DRX), Microscopia electrónica de transmisión (TEM), sistema de medida de propiedades magnéticas (MPMS), sistema de medida de propiedades físicas (PPMS) Los resultados obtenidos por XRD muestran que las capas de GaSbMn poseen una estructura cristalina tipo zinc blenda con mejores propiedades en función del aumento de la temperatura, el análisis magnético muestra que todas las capas depositadas presentan temperatura de Curie por encima de la temperatura ambiente, por otro lado el análisis eléctrico nos muestran un comportamiento de efecto hall ordinario y efecto hall anómalo, la presencia de este efecto hall anómalo es consecuente con los resultados obtenidos mediante la caracterización magnética (Texto tomado de la fuente)

• Autores: Pulzara Mora, Camilo Andres
• Fecha de publicación: 2019
• Institución: Universidad Nacional de Colombia
• Repositorio: Universidad Nacional de Colombia
• Idioma: spa
• OAI Identifier: oai:repositorio.unal.edu.co:unal/77301
• Acceso en línea: https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/77301; http://bdigital.unal.edu.co/74942/
• Palabra clave: Magnetron Sputtering; Semiconductores; Magnetización; Efecto Hall anómalo; Temperatura de Curie; Magnetron Sputtering; Semiconductors; Magnetization; Anomalous Hall Effect Effec; Curie Temperature
• Rights: openAccess
• License: Atribución-NoComercial 4.0 Internacional