Estudio de las propiedades ópticas y eléctricas del compuesto Ga1-xMnxSb usado para aplicaciones en epintrónica

En este trabajo se estudiaron las propiedades estructurales, ópticas y eléctricas de películas delgadas de Ga1-xMnxSb fabricadas por el método DC Magnetron Co-Sputtering. La caracterización estructural reveló que las fases presentes en las muestras corresponden a: antimoniuro de Galio (GaSb), Antimonio (Sb), aleaciones de Manganeso y Antimonio tales como Mn2Sb y Mn2Sb2. La presencia de estas fases fue correlacionada con los parámetros de síntesis. El estudio de las propiedades ópticas mostró que la brecha de energía entre la banda de valencia y la de conducción (Eg) del material toma valores entre 0.58 eV y 0.89 eV en dependencia con los parámetros de síntesis y la concentración de Mn. También, se establecieron los comportamientos del índice de refracción (n), el coeficiente de absorción (α), coeficiente de extinción (κ) y las respectivas partes real (ε_1) e imaginaria (ε_2) de la función dieléctrica, con la longitud de onda en el rango entre 250 y 2500 nm. A través de medidas de resistividad (ρ) como función de la temperatura y medidas de efecto Hall se estableció que el material se comporta como un semiconductor tipo p y cuyas densidades de portadores (np) son estimadas entre los órdenes de 1015 a 1020 cm-3. Se estudió el efecto Hall anómalo mostrado cuando las fases Mn2Sb y Mn2Sb2 estaban presentes en el material. Adicionalmente y como una parte complementaria del trabajo se estudiaron las propiedades morfológicas por medio de Microscopía Electrónica de Barrido (SEM), en conjunto con medidas de Microscopía de Fuerza Atómica (AFM) que permitieron comparar las características principales del crecimiento del material y el efecto de la morfología de su superficie en las propiedades ópticas y eléctricas. Por otro lado, y de manera complementaria, se estudiaron las propiedades magnéticas a partir de medidas de Momento Magnético como función del campo magnético aplicado y en función de la temperatura estableciendo los campos coercitivos (Hc) y las magnetizaciones remanentes (Mr) cuando se presentan procesos de histéresis a temperatura ambiente. Se estimaron los valores máximos para la susceptibilidad magnética (χ), con lo cual se estableció la permeabilidad magnética (µ) y se asoció que el comportamiento magnético dependía de la presencia de fases cristalinas como Mn2Sb y Mn2Sb2.

• Autores: Calderón Cómbita, Jorge Arturo
• Fecha de publicación: 2016
• Institución: Universidad Nacional de Colombia
• Repositorio: Universidad Nacional de Colombia
• Idioma: spa
• OAI Identifier: oai:repositorio.unal.edu.co:unal/57573
• Acceso en línea: https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/57573; http://bdigital.unal.edu.co/53881/
• Palabra clave: 53 Física / Physics; DC Magnetron Sputtering; Pulverización catódica asistida por campo magnético; Diluted Magnetic Semiconductor; Semiconductores magnéticos diluidos; GaMnSb; Optical properties; Electrical properties; transport and magnetic properties; Propiedades ópticas; Propiedades eléctricas; Propiedades Magnéticas; Magnetic properties
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