Caracterización del semiconductor magnético diluido (ZnO)1-x(Fe2O3)x

Se prepararon muestras de (ZnO)1-x (Fe2 O3 )x por el método de reacción de estado sólido utilizando concentraciones de óxido férrico 0.01≤x≤0.05. A nivel estructural no se observan cambios apreciables en el tamaño de los cristalitos cuyos valores se encuentran alrededor de los 95 nm, por otra parte...

Full description

Autores:: Pineda Rojas, Elkin Giovanni

Tipo de recurso:

Fecha de publicación:: 2015

Institución:: Universidad Nacional de Colombia

Repositorio:: Universidad Nacional de Colombia

Idioma:: spa

Description
Summary:	Se prepararon muestras de (ZnO)1-x (Fe2 O3 )x por el método de reacción de estado sólido utilizando concentraciones de óxido férrico 0.01≤x≤0.05. A nivel estructural no se observan cambios apreciables en el tamaño de los cristalitos cuyos valores se encuentran alrededor de los 95 nm, por otra parte los parámetros de red en la estructura tipo wurtzita para el ZnO no sufren cambios apreciables en función del contenido de hierro. A partir de las propiedades eléctricas se encontraron las temperaturas de transición metal-aislante (MA) las cuales aumentan con el contenido de hierro (0,01≤x0,03) y se observó adicionalmente disminución en la resistencia eléctrica en este rango de dopajes. Los análisis de susceptibilidad magnética A.C. en función de la temperatura presentaron comportamientos paramagnéticos típicos independientes del contenido del dopaje en el rango de temperatura estudiado. Para altas concentraciones de hierro (x=0,1) la susceptibilidad magnética en función de la temperatura puede describirse según la ley de Curie-Weiss.

Caracterización del semiconductor magnético diluido (ZnO)1-x(Fe2O3)x

Publicaciones similares