Caracterización de películas de carbón crecidas por la técnica CVD (2005)
Se diseño y construyó un reactor de filamento caliente (HF) para producir películas de carbón, por la técnica de Deposito Químico en Fase Vapor (CVD), empleando como sustrato láminas de Silicio. El reactor se ha diseñado de tal manera que posee un sistema de refrigeración interno y otro externo como protección. La caracterización de las películas de carbón se realizaron utilizando Difracción de Rayos X, Microscopía Electrónica de Barrido (SEM) y Microscopía de Fuerza Atómica (AFM), Espectroscopía Infrarroja por Trasformada de Fourier (FTIR) y Espectroscopía de Fotoelectrones por Rayos X (XPS); El objetivo del crecimiento de estas películas es mostrar que este reactor es viable para este tipo de estructuras de carbón donde se pueden obtener las diferentes fases alotrópicas, DLC y diamante. El análisis de las muestras de películas de carbón, mostró que bajo las condiciones de experimentación, el control del sistema de vacío y la relación CH4/H2 es fundamental para obtener películas de mejor calidad cristalina. El control preciso de las etapas iniciales de crecimiento determinan las fases alotrópicas presentes en las películas de carbón. También se requiere de un filamento de punto de fusión alto un apantallamiento del mismo para que su evaporación no interfiera en el crecimiento de las películas. En las primeras etapas del depósito se encontró la presencia de SiO2 debido a la deficiencia del sistema de vació en la evaluación del O2. También se observo la presencia de carburos, seguidas de una capa amorfa de DLC (Texto tomado de la fuente)