Producción y caracterización de recubrimientos del sistema Y-Ba-Cu-O producidos por medio de la técnica de rocío pirolítico

Se realizaron depósitos del sistema Y-Ba-Cu-O a partir de diferentes precursores y sobre diferentes superficies usando la técnica de Rocío Pirolítico Ultrasónico. Como sustratos se utilizaron MgO, Si y SiO2 con y sin capa búfer de YSZ. Los depósitos se realizaron durante una hora a 600°C con un equi...

Full description

Autores:
Monroy Jaramillo, Luis Bernardo
Tipo de recurso:
Fecha de publicación:
2009
Institución:
Universidad Nacional de Colombia
Repositorio:
Universidad Nacional de Colombia
Idioma:
spa
OAI Identifier:
oai:repositorio.unal.edu.co:unal/3297
Acceso en línea:
https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/3297
http://bdigital.unal.edu.co/1767/
Palabra clave:
62 Ingeniería y operaciones afines / Engineering
RPU
YBCO
YSZ
Semiconductores
Superconductores
Pirólisis
USP
Rocío pirolísis ultrasónico
Materiales
Rights
openAccess
License
Atribución-NoComercial 4.0 Internacional
Description
Summary:Se realizaron depósitos del sistema Y-Ba-Cu-O a partir de diferentes precursores y sobre diferentes superficies usando la técnica de Rocío Pirolítico Ultrasónico. Como sustratos se utilizaron MgO, Si y SiO2 con y sin capa búfer de YSZ. Los depósitos se realizaron durante una hora a 600°C con un equipo RPU mejorado que permite depósitos de larga duración y se realizó un tratamiento térmico intensivo. Se realizaron caracterizaciones de tipo elemental, cristalino, topográfico y eléctrico a las dieciocho muestras mostrando Exceso de CuO y deficiencia de Ba, películas policristalinas con fases binarias, ternarias ycuaternarias, bajas rugosidades de película y un comportamiento eléctrico de tipo semiconductor. / Abstract. Y-Ba-Cu-O films were made from different precursors and deposited over different surfaces using Ultrasonic Spray Pyrolysis technique. The subtrates used were MgO, Si and SiO2 with and without a YSZ buffer layer. The films were produced at 600°C and 1 hour with and improved USP equipment that allows long-time deposition and an intensive thermal treatment has done. Characterization to the eighteen samples were made, as follows: Elemental, crystalline, topographic and electric analysis, showing CuO excess and Ba deficiency, polycrystalline films with binary, ternary and cuaternary phases, films low roughnesses and an semiconductor-like electric behavior.