Análisis de efectos de mezclas de subbandas en los estados electrónicos de una impureza D° descentrada en un nanotubo cilíndrico en presencia de un campo magnético en dirección axial GaAs-Ga1-xAlxAs

Analizaremos la variación de las energías del estado base de una impureza D° descentrada en un hilo cuántico cilíndrico de GaAs-Ga1-xAlxAs con núcleo repulsivo (Nanotubo), debido a la mezcla de las subbandas 1s y 2Pxy. Para ello extendemos el recientemente desarrollado método de dimensión Fractal, e...

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Autores:
González Acosta, Jesús David
Barrera Pérez, Martha Lucia
Tipo de recurso:
Investigation report
Fecha de publicación:
2006
Institución:
Universidad Autónoma de Bucaramanga - UNAB
Repositorio:
Repositorio UNAB
Idioma:
spa
OAI Identifier:
oai:repository.unab.edu.co:20.500.12749/23811
Acceso en línea:
http://hdl.handle.net/20.500.12749/23811
Palabra clave:
Numerical methods
Trigonometric sweep
Finite differences
Binding energy
Electronic correlation
Physical
Natural sciences
Mixtures
Magnetic field
Energy
Física
Ciencias naturales
Mezclas
Campo magnético
Energía
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Energía de enlace
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description Analizaremos la variación de las energías del estado base de una impureza D° descentrada en un hilo cuántico cilíndrico de GaAs-Ga1-xAlxAs con núcleo repulsivo (Nanotubo), debido a la mezcla de las subbandas 1s y 2Pxy. Para ello extendemos el recientemente desarrollado método de dimensión Fractal, en el cual el problema de una donadora confinada en una heterojuntura semiconductora es reducido a un problema equivalente de un átomo de hidrogeno en un espacio isotrópico con una dimensión variable que depende únicamente de la distancia de separación entre el electrón y el ion impureza. Se obtendrán curvas novedosas para la energía de enlace en función de la posición de la impureza, utilizando diferentes alturas y formas de potencial de confinamiento. Algunas de estas curvas serán comparadas con las obtenidas para un modelo sin mezclas de subbandas. Mostraremos que el efecto de la mezclas de subbandas es significativo cuando el núcleo repulsivo es grande y la donadora es localizada en el pozo. Adicionalmente analizamos la densidad de estados de impurezas para una distribución aleatoria de estas en el Nanotubo considerando el efecto de la mezcla de subbandas y en ausencia de este, con potencial de confinamiento suave, rectangular y parabólico.
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Para ello extendemos el recientemente desarrollado método de dimensión Fractal, en el cual el problema de una donadora confinada en una heterojuntura semiconductora es reducido a un problema equivalente de un átomo de hidrogeno en un espacio isotrópico con una dimensión variable que depende únicamente de la distancia de separación entre el electrón y el ion impureza. Se obtendrán curvas novedosas para la energía de enlace en función de la posición de la impureza, utilizando diferentes alturas y formas de potencial de confinamiento. Algunas de estas curvas serán comparadas con las obtenidas para un modelo sin mezclas de subbandas. Mostraremos que el efecto de la mezclas de subbandas es significativo cuando el núcleo repulsivo es grande y la donadora es localizada en el pozo. Adicionalmente analizamos la densidad de estados de impurezas para una distribución aleatoria de estas en el Nanotubo considerando el efecto de la mezcla de subbandas y en ausencia de este, con potencial de confinamiento suave, rectangular y parabólico.We will analyze the variation of the ground state energies of an offset D° impurity in a cylindrical GaAs-Ga1-xAlxAs quantum wire with a repulsive core (Nanotube), due to the mixing of the 1s and 2Pxy subbands. To do this we extend the recently developed Fractal dimension method, in which the problem of a donor confined in a semiconducting heterojunction is reduced to an equivalent problem of a hydrogen atom in an isotropic space with a variable dimension that depends only on the distance of separation between the electron and the impurity ion. Novel curves will be obtained for the binding energy as a function of the position of the impurity, using different heights and shapes of confinement potential. Some of these curves will be compared with those obtained for a model without subband mixtures. We will show that the effect of subband mixing is significant when the repulsive nucleus is large and the donor is located in the well. Additionally, we analyze the density of states of impurities for a random distribution of these in the Nanotube considering the effect of the mixing of subbands and in its absence, with the potential for soft, rectangular and parabolic confinement.Modalidad Presencialapplication/pdfspahttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/co/Abierto (Texto Completo)Atribución-NoComercial-SinDerivadas 2.5 Colombiahttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2Análisis de efectos de mezclas de subbandas en los estados electrónicos de una impureza D° descentrada en un nanotubo cilíndrico en presencia de un campo magnético en dirección axial GaAs-Ga1-xAlxAsAnalysis of effects of subband mixtures on the electronic states of an offset D° impurity in a cylindrical nanotube in the presence of a magnetic field in the axial direction GaAs-Ga1-xAlxAsResearch reportinfo:eu-repo/semantics/workingPaperInforme de investigaciónhttp://purl.org/coar/resource_type/c_18wshttp://purl.org/coar/resource_type/c_8042info:eu-repo/semantics/acceptedVersionhttp://purl.org/redcol/resource_type/IFIUniversidad Autónoma de Bucaramanga UNABDepartamento de Ciencias BásicasNumerical methodsTrigonometric sweepFinite differencesBinding energyElectronic correlationPhysicalNatural sciencesMixturesMagnetic fieldEnergyFísicaCiencias naturalesMezclasCampo magnéticoEnergíaMétodos numéricosBarrido trigonométricoDiferencias finitasEnergía de enlaceCorrelación electrónicaI. D. Mikhailov, F. J, Betancur, R. A. Escorcia, J. Sierra-Ortega, Phys. Stat. Sol. (b) 243 560-610 (2002)J. Cen, K, K. Bajaj, Phys. Rev. B 37 280-289 ( 1992)Paul Butcher, Norman H. March and Mario P. Tosi, Physics of Low-Dimensional Semiconductor Structures. New York 1993.J. Singh, Physics of semiconductors and their Heteroestructures, Singapore, McGraw-Hill, 1993.G. Bastard, wave Mechanics Applied to semiconductor Heteroestructures, New. York, John Wiley and Sons, 1988.J. sierra-Ortega, 1. D. Mikhailov and F. J. Betancur, Physica B 348 66-72 (2004)G. Bastard, Phys. Rev. B 24, 4714 (1981)G. Bastard, L. E. Mendez, L. L. Chang y L. Esaki, Phys. Rev. B 26, 1974 (1982)W. T. Masselink, Y. C. Chang y H. Morkog , Phys. Rev. B 28, 7373 (1983)L. E. Oliveira y L. M. Falicov, Phys. Rev: B 34, 8676 (1986)R. L. Greene y K. K. Bajaj, Phys. Rev. B 37, 4604 (1988)M. Ciurla, J. Adamoski, B. Szafran, S. Bednarek. Phys. Rev. E 15 261 (2002)J. L. Zhu, Xi Chen, Phys. Rev. B 50, 4497 (1994)F. J. Ribeiro, A. 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