Producción de hidrogeno mediante foto-electrolisis de agua, usando películas de tipo pirocloro bi2mnbo7 (m= in, fe) soportadas sobre acero inoxidable aisi-sae 304

Los problemas ambientales que implican la utilización de combustibles fósiles, han impulsado la exploración de alternativas energéticas limpias y renovables, por esta razón hoy en día se ve el hidrógeno como el combustible del futuro; éste se puede generar utilizando diferentes tecnologías, tales co...

Full description

Autores:
Cárdeno Fernández, Mónica Juliana
Jaimes Velandia, Judith Carolina
Tipo de recurso:
http://purl.org/coar/version/c_b1a7d7d4d402bcce
Fecha de publicación:
2009
Institución:
Universidad Industrial de Santander
Repositorio:
Repositorio UIS
Idioma:
spa
OAI Identifier:
oai:noesis.uis.edu.co:20.500.14071/22011
Acceso en línea:
https://noesis.uis.edu.co/handle/20.500.14071/22011
https://noesis.uis.edu.co
Palabra clave:
Foto-electrolisis
Foto-ánodos
Producción de hidrógeno
Semiconductores
Películas delgadas.
Photo-electrolysis
Photo-anodes
Hydrogen Production
Semiconductor
Thin films.
Rights
License
Attribution-NonCommercial 4.0 International (CC BY-NC 4.0)
Description
Summary:Los problemas ambientales que implican la utilización de combustibles fósiles, han impulsado la exploración de alternativas energéticas limpias y renovables, por esta razón hoy en día se ve el hidrógeno como el combustible del futuro; éste se puede generar utilizando diferentes tecnologías, tales como procesos foto-electroquímicos, en los cuales se aprovecha la energía solar para promover reacciones de oxido-reducción en la superficie de un material. En el presente trabajo se evalúo la posibilidad de emplear una película de óxido semiconductor de Bi2MNbO7 (M= In, Fe) soportada sobre acero inoxidable AISI-SAE 304 como un material alternativo en la producción de hidrógeno mediante electrólisis foto-asistida de agua, a fin de que este material foto-sensible, pueda ser usado como foto-electrodo en celdas fotoelectroquímicas, capaces de aprovechar la energía solar. El material semiconductor fue preparado por el método sol-gel ya que ha mostrado gran actividad foto-catalítica en investigaciones anteriores. A partir del sol preparado, las películas de este nuevo material, se depositaron por la técnica de inmersión (dip-coating) sobre el sustrato de acero inoxidable AISI-SAE 304. Ya calcinados los foto-ánodos a 500ºC se llevó a cabo la evaluación del efecto de las variables significativas del proceso como son: la concentración y la conductividad del electrolito (KOH, KCl), así como el efecto de la presencia de agente de sacrificio, en este caso el ión cianuro (CN). En las pruebas foto-electroquímicas se obtuvo un efecto considerable en el aumento de la corriente (corriente foto-generada) cercano al 75% al usar luz UV-VIS comparada con la electrólisis convencional; además de un aumento en la producción de hidrógeno como consecuencia del aumento en la corriente. El ión cianuro (CN) se monitoreó potenciométricamente obteniéndose un 25% de oxidación del cianuro.