First principles calculations of the electronic and dielectric properties of λ-Ta2O5

RESUMEN: Ta2O5 es un semiconductor de gap-ancho el cual tiene interesantes aplicaciones en comunicaciones en la región de las micro-ondas, principalmente está relacionado con la fabricación de filtros y resonadores, donde su tamaño es inversamente proporcional a la constante dieléctrica del material. Por este motivo, en este trabajo presentamos un estudio teórico a partir de la teoría de los funcionales de la densidad (usando PBEsol y el híbrido HSE06 para el funcional de intercambio-correlación) de las propiedades electrónicas y dieléctricas del modelo ortorrómbico -Ta2O5. Aquí, encontramos que este modelo tiene un gap directo de 2.09 y 3.7 eV con PBEsol y HSE06, respectivamente. Además, la constante dieléctrica estática calculada es 51, en buen acuerdo con los valores reportados para otras fases de este semiconductor. Palabras clave: Ta2O5, teoría de los funcionales de la densidad, PBEsol, HSE06, constante dieléctrica.

• Autores: Pérez Walton, Santiago; Osorio Guillén, Jorge Mario
• Tipo de recurso: Article of investigation
• Fecha de publicación: 2018
• Institución: Universidad de Antioquia
• Repositorio: Repositorio UdeA
• Idioma: eng
• OAI Identifier: oai:bibliotecadigital.udea.edu.co:10495/13068
• Acceso en línea: http://hdl.handle.net/10495/13068
• Palabra clave: Density functional theory; Dielectric constant; HSE06; PBEsol; Ta2O5; Constante dieléctrica; Teoría de los funcionales de la densidad
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