Propiedades piezoeléctricas del Pentóxido de Niobio y Pentóxido de Tantalio: un estudio desde primeros principios

Nb2O5 y Ta2O5 son óxidos semiconductores de brecha ancha, los cuales en los últimos años han despertado gran interés debido a sus múltiples aplicaciones tecnológicas, ya sea en electrónica, telecomunicaciones o fotocatálisis. Por estas razones, en este trabajo presentamos un estudio a partir de cálculos de primeros principios de las propiedades piezoeléctricas de las fases Z y β de Ta2O5, y de las fases Z y P de Nb2O5 utilizado la teoría de los funcionales de la densidad y la aproximación del gradiente, generalizado con la parametrización PBEsol. Una vez determinada la geometría de equilibrio para cada una de estas fases, realizamos un cálculo utilizando respuesta lineal para determinar el tensor piezoeléctrico asociado a cada una de estas fases, encontrando que la fase Z para ambos compuestos presenta una buena respuesta piezoeléctrica. Adicionalmente, encontramos que la fase β-Ta2O5 no presenta respuesta piezoeléctrica.

• Autores: Giraldo-Giraldo, Olga M.; Pérez-Walton, Santiago; Osorio-Guillén, Jorge M.
• Tipo de recurso: Article of journal
• Fecha de publicación: 2017
• Institución: Instituto Tecnológico Metropolitano
• Repositorio: Repositorio ITM
• Idioma: spa
• OAI Identifier: oai:repositorio.itm.edu.co:20.500.12622/1024
• Acceso en línea: https://revistas.itm.edu.co/index.php/tecnologicas/article/view/704; http://hdl.handle.net/20.500.12622/1024
• Palabra clave: Piezoelectricidad; semiconductores de brecha ancha; Nb2O5, Ta2O5; primeros principios; Piezoelectricity,; wide-bandgap semiconductors; Nb2O5, Ta2O5; irst-principles.
• License: https://creativecommons.org/licenses/by/3.0/deed.es_ES