Análisis fenomenológico del crecimiento de películas de Ga1-xInxAsySb1-y por la técnica de epitaxia en fase líquida
El descubrimiento de los materiales semiconductores revolucionó la historia de la humanidad, ya que permitió la miniaturización y desarrollo de los más diversos dispositivos electrónicos, situación que promovió de manera vertiginosa el proceso de globalización. La tecnología basada en materiales sem...
- Autores:
-
Gómez Cortés, José Fernando
- Tipo de recurso:
- Trabajo de grado de pregrado
- Fecha de publicación:
- 2007
- Institución:
- Universidad del Quindío
- Repositorio:
- Repositorio Universidad del Quindío
- Idioma:
- spa
- OAI Identifier:
- oai:bdigital.uniquindio.edu.co:001/3051
- Acceso en línea:
- https://bdigital.uniquindio.edu.co/handle/001/3051
- Palabra clave:
- FUNDAMENTOS DE LA DIFUSIÓN
MOVIMIENTO BROWNIANO
- Rights
- openAccess
- License
- Derechos Reservados - Universidad del Quindio, 2016
id |
RUQUINDIO2_c08c348c4309de6d10ff7f4a0713eb8b |
---|---|
oai_identifier_str |
oai:bdigital.uniquindio.edu.co:001/3051 |
network_acronym_str |
RUQUINDIO2 |
network_name_str |
Repositorio Universidad del Quindío |
repository_id_str |
|
spelling |
Universidad del Quindío - Colombia - Director - LilianaTirado Mejía PhDGómez Cortés, José Fernando2017-11-21T20:39:22Z2017-11-21T20:39:22Z2007-08-09https://bdigital.uniquindio.edu.co/handle/001/3051El descubrimiento de los materiales semiconductores revolucionó la historia de la humanidad, ya que permitió la miniaturización y desarrollo de los más diversos dispositivos electrónicos, situación que promovió de manera vertiginosa el proceso de globalización. La tecnología basada en materiales semiconductores (electrónica de estado sólido) se inicia en 1947 con la invención del transistor de Silicio, elemento químico ubicado en el grupo IV de la tabla periódica y con el cual hoy en día se siguen desarrollando dispositivos electrónicos de gran aplicabilidad. Con el objetivo de ampliar el rango de aplicación y optimizar el desarrollo tecnológico en este campo, se inició la búsqueda de nuevos materiales semiconductores, situación que se tradujo en la implementación de diferentes técnicas para la fabricación de materiales cristalinos como el GaAs, aleación binaria entre elementos de los grupos III-V de la tabla periódica con apreciadas características electrónicas, y que por las cuales se inició el estudio y desarrollo de los llamados compuestos III-V.1. Preliminares 52. Introducción 53. Planteamiento del Problema 64. Justificación 75. Objetivos 9PregradoQuímicoapplication/pdfspaDerechos Reservados - Universidad del Quindio, 2016https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/info:eu-repo/semantics/openAccessAtribución-NoComercial-SinDerivadas 4.0 Internacional (CC BY-NC-ND 4.0)http://purl.org/coar/access_right/c_abf2Análisis fenomenológico del crecimiento de películas de Ga1-xInxAsySb1-y por la técnica de epitaxia en fase líquidaTrabajo de grado - Pregradohttp://purl.org/coar/resource_type/c_7a1finfo:eu-repo/semantics/bachelorThesisinfo:eu-repo/semantics/acceptedVersionTexthttps://purl.org/redcol/resource_type/TPFUNDAMENTOS DE LA DIFUSIÓNMOVIMIENTO BROWNIANOCiencias Básicas y Tecnologías - QuímicaPublicationTHUMBNAILTESIS.pdf.jpgTESIS.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg11825https://bdigital.uniquindio.edu.co/bitstreams/64205618-3b49-4823-8598-86a7f8b70a7b/download33509405a0c85e57e145b092a0f262b7MD54LICENSElicense.txtlicense.txttext/plain; charset=utf-81748https://bdigital.uniquindio.edu.co/bitstreams/eb774e0d-93ee-4abb-95f5-5088d7d450ae/download8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33MD52ORIGINALTESIS.pdfTESIS.pdfTESISapplication/pdf1321977https://bdigital.uniquindio.edu.co/bitstreams/cfef029f-4837-48ab-9e7d-6b920590da21/download2bb32c782ee158a0dfc0ffc7c6a69fc4MD51TEXTTESIS.pdf.txtTESIS.pdf.txtExtracted texttext/plain124301https://bdigital.uniquindio.edu.co/bitstreams/f9da54ef-8c9c-4a55-82a8-4e20750ea251/download32f5441108449191025a286f65d276b5MD53001/3051oai:bdigital.uniquindio.edu.co:001/30512024-06-07 11:04:41.918https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/Derechos Reservados - Universidad del Quindio, 2016restrictedhttps://bdigital.uniquindio.edu.coBiblioteca Digital Universidad del Quindíobdigital@metabiblioteca.com |
dc.title.spa.fl_str_mv |
Análisis fenomenológico del crecimiento de películas de Ga1-xInxAsySb1-y por la técnica de epitaxia en fase líquida |
title |
Análisis fenomenológico del crecimiento de películas de Ga1-xInxAsySb1-y por la técnica de epitaxia en fase líquida |
spellingShingle |
Análisis fenomenológico del crecimiento de películas de Ga1-xInxAsySb1-y por la técnica de epitaxia en fase líquida FUNDAMENTOS DE LA DIFUSIÓN MOVIMIENTO BROWNIANO |
title_short |
Análisis fenomenológico del crecimiento de películas de Ga1-xInxAsySb1-y por la técnica de epitaxia en fase líquida |
title_full |
Análisis fenomenológico del crecimiento de películas de Ga1-xInxAsySb1-y por la técnica de epitaxia en fase líquida |
title_fullStr |
Análisis fenomenológico del crecimiento de películas de Ga1-xInxAsySb1-y por la técnica de epitaxia en fase líquida |
title_full_unstemmed |
Análisis fenomenológico del crecimiento de películas de Ga1-xInxAsySb1-y por la técnica de epitaxia en fase líquida |
title_sort |
Análisis fenomenológico del crecimiento de películas de Ga1-xInxAsySb1-y por la técnica de epitaxia en fase líquida |
dc.creator.fl_str_mv |
Gómez Cortés, José Fernando |
dc.contributor.advisor.spa.fl_str_mv |
Universidad del Quindío - Colombia - Director - LilianaTirado Mejía PhD |
dc.contributor.author.spa.fl_str_mv |
Gómez Cortés, José Fernando |
dc.subject.proposal.spa.fl_str_mv |
FUNDAMENTOS DE LA DIFUSIÓN MOVIMIENTO BROWNIANO |
topic |
FUNDAMENTOS DE LA DIFUSIÓN MOVIMIENTO BROWNIANO |
description |
El descubrimiento de los materiales semiconductores revolucionó la historia de la humanidad, ya que permitió la miniaturización y desarrollo de los más diversos dispositivos electrónicos, situación que promovió de manera vertiginosa el proceso de globalización. La tecnología basada en materiales semiconductores (electrónica de estado sólido) se inicia en 1947 con la invención del transistor de Silicio, elemento químico ubicado en el grupo IV de la tabla periódica y con el cual hoy en día se siguen desarrollando dispositivos electrónicos de gran aplicabilidad. Con el objetivo de ampliar el rango de aplicación y optimizar el desarrollo tecnológico en este campo, se inició la búsqueda de nuevos materiales semiconductores, situación que se tradujo en la implementación de diferentes técnicas para la fabricación de materiales cristalinos como el GaAs, aleación binaria entre elementos de los grupos III-V de la tabla periódica con apreciadas características electrónicas, y que por las cuales se inició el estudio y desarrollo de los llamados compuestos III-V. |
publishDate |
2007 |
dc.date.issued.spa.fl_str_mv |
2007-08-09 |
dc.date.accessioned.spa.fl_str_mv |
2017-11-21T20:39:22Z |
dc.date.available.spa.fl_str_mv |
2017-11-21T20:39:22Z |
dc.type.spa.fl_str_mv |
Trabajo de grado - Pregrado |
dc.type.coar.spa.fl_str_mv |
http://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f |
dc.type.driver.spa.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/bachelorThesis |
dc.type.version.spa.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/acceptedVersion |
dc.type.content.spa.fl_str_mv |
Text |
dc.type.redcol.spa.fl_str_mv |
https://purl.org/redcol/resource_type/TP |
format |
http://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f |
status_str |
acceptedVersion |
dc.identifier.uri.spa.fl_str_mv |
https://bdigital.uniquindio.edu.co/handle/001/3051 |
url |
https://bdigital.uniquindio.edu.co/handle/001/3051 |
dc.language.iso.spa.fl_str_mv |
spa |
language |
spa |
dc.rights.spa.fl_str_mv |
Derechos Reservados - Universidad del Quindio, 2016 |
dc.rights.uri.spa.fl_str_mv |
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ |
dc.rights.accessrights.spa.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/openAccess |
dc.rights.creativecommons.spa.fl_str_mv |
Atribución-NoComercial-SinDerivadas 4.0 Internacional (CC BY-NC-ND 4.0) |
dc.rights.coar.spa.fl_str_mv |
http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 |
rights_invalid_str_mv |
Derechos Reservados - Universidad del Quindio, 2016 https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ Atribución-NoComercial-SinDerivadas 4.0 Internacional (CC BY-NC-ND 4.0) http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 |
eu_rights_str_mv |
openAccess |
dc.format.mimetype.spa.fl_str_mv |
application/pdf |
dc.publisher.faculty.spa.fl_str_mv |
Ciencias Básicas y Tecnologías - Química |
institution |
Universidad del Quindío |
bitstream.url.fl_str_mv |
https://bdigital.uniquindio.edu.co/bitstreams/64205618-3b49-4823-8598-86a7f8b70a7b/download https://bdigital.uniquindio.edu.co/bitstreams/eb774e0d-93ee-4abb-95f5-5088d7d450ae/download https://bdigital.uniquindio.edu.co/bitstreams/cfef029f-4837-48ab-9e7d-6b920590da21/download https://bdigital.uniquindio.edu.co/bitstreams/f9da54ef-8c9c-4a55-82a8-4e20750ea251/download |
bitstream.checksum.fl_str_mv |
33509405a0c85e57e145b092a0f262b7 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 2bb32c782ee158a0dfc0ffc7c6a69fc4 32f5441108449191025a286f65d276b5 |
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv |
MD5 MD5 MD5 MD5 |
repository.name.fl_str_mv |
Biblioteca Digital Universidad del Quindío |
repository.mail.fl_str_mv |
bdigital@metabiblioteca.com |
_version_ |
1818111587935846400 |