Estudio De Transiciones Ópticas De Excitones Confinados En Puntos Cuánticos Esféricos En Películas De Ga1-X Inx Asy Sb1-Y/Gasb Fabricadas Por Epitaxia En Fase Líquida
La respuesta óptica de estudios por fotorreflectancia y por fotoluminiscencia a 12K de una película de Ga1-xInxAsySb1-y crecida por epitaxia en fase líquida sobre un monocristal de GaSb como sustrato, no muestran el mismo valor de energía fundamental. El pico de fotoluminiscencia presenta corrimient...
- Autores:
-
Sánchez C, Robert
- Tipo de recurso:
- Trabajo de grado de pregrado
- Fecha de publicación:
- 2009
- Institución:
- Universidad del Quindío
- Repositorio:
- Repositorio Universidad del Quindío
- Idioma:
- spa
- OAI Identifier:
- oai:bdigital.uniquindio.edu.co:001/2889
- Acceso en línea:
- https://bdigital.uniquindio.edu.co/handle/001/2889
- Palabra clave:
- Peliculas Epitaxia Liquida
- Rights
- closedAccess
- License
- Derechos Reservados - Universidad del Quindío
| Summary: | La respuesta óptica de estudios por fotorreflectancia y por fotoluminiscencia a 12K de una película de Ga1-xInxAsySb1-y crecida por epitaxia en fase líquida sobre un monocristal de GaSb como sustrato, no muestran el mismo valor de energía fundamental. El pico de fotoluminiscencia presenta corrimiento hacia mayores energies en 20 meV respecto a la respuesta por fotorreflectancia, indicando un posible confinamiento electrónico en algunas partes de la heteroestructura crecida. |
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