Efectos de intercambio y correlación en las propiedades estructurales y electrónicas del TiO2 en la fase rutilo / Exchange and correlation effects on the structural and electronic properties of TiO2 on the rutile phase

En este trabajo, se estudiaron las propiedades estructurales y electrónicas del TiO2 en la fase rutilo a partirde cálculos de primeros principios. Los efectos de intercambio y correlación electrónica fueron estudiadosutilizando funcionales en la aproximación de densidad local (LDA), la aproximación...

Full description

Autores:
Tipo de recurso:
Fecha de publicación:
2017
Institución:
Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia
Repositorio:
RiUPTC: Repositorio Institucional UPTC
Idioma:
spa
OAI Identifier:
oai:repositorio.uptc.edu.co:001/15203
Acceso en línea:
https://revistas.uptc.edu.co/index.php/ciencia_en_desarrollo/article/view/4701
https://repositorio.uptc.edu.co/handle/001/15203
Palabra clave:
Cálculo de primeros principios
DFT
GGA
TiO2
Física de la Materia Condensada
Rights
License
Derechos de autor 2017 CIENCIA EN DESARROLLO
Description
Summary:En este trabajo, se estudiaron las propiedades estructurales y electrónicas del TiO2 en la fase rutilo a partirde cálculos de primeros principios. Los efectos de intercambio y correlación electrónica fueron estudiadosutilizando funcionales en la aproximación de densidad local (LDA), la aproximación de gradiente generalizado(GGA) de Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE), Perdew-Burke-Ernzerhof revised for solids (PBEsol),Perdew-Wang 91 (PW91) y revised Perdew-Burke-Ernzerhof (rPBE), y la aproximación de gradientemeta-generalizado (meta-GGA) de Tao-Perdew-Staroverov-Scuseria (TPSS) y revised-TPSS (RTPSS), en elmarco de la Teoría del Funcional de la Densidad (DFT). Encontramos que el funcional PBEsol proporcionamejores resultados para el cálculo de los parámetros de red (a y c) y las longitudes ecuatorial y axial (deqy dax), mientras que para la energía de cohesión (Ecoh), el módulo volumétrico (B0) y los ángulos (2q ya) los funcionales PBE, rPBE y TPSS, respectivamente, se acercan más a los valores experimentales. Seconfirma que el TiO2 presenta propiedades de semiconductor directo en G