Efecto túnel en semiconductores sometidos a campos eléctricos intensos

El efecto túnel o filtración cuántica en diversos materiales se mide utilizando cantidades probabilísticas asignadas a un coeficiente de transmisión y a un coeficiente de reflexión de la partícula cargada para atravesar o reflejarse en una barrera de potencial de energía mayor. El método de aproximación W.KB. (Wentzel, Kramers y Brilloin) es útil para calcular estos coeficientes y nos permite determinar expresiones para diferentes perfiles de potencial, tales como las barreras rectangulares, triangulares y trapezoidales. El efecto túnel es un fenómeno muy importante en los dispositivos semiconductores porque ayuda a entender y determinar propiedades eléctricas en estos materiales. La respuesta del comportamiento de un semiconductor P-N a campos eléctricos intensos produce el fenómeno de ruptura Zener, que es una filtración cuántica de banda a banda. Se analiza el comportamiento para diferentes campos a tres materiales semiconductores: InAs, GaAs y AlAs.

• Autores: Julio Mass Varela; Universidad del Norte
• Fecha de publicación: 2011
• Institución: Universidad del Norte
• Repositorio: Repositorio Uninorte
• Idioma: spa
• OAI Identifier: oai:manglar.uninorte.edu.co:10584/3994
• Acceso en línea: http://rcientificas.uninorte.edu.co/index.php/ingenieria/article/view/2207; http://hdl.handle.net/10584/3994
• License: http://purl.org/coar/access_right/c_abf2