Magneto-transporte en materiales ferromagnéticos y antiferromagnéticos

En el presente trabajo se determina computacionalmente la conductividad Hall anómala en diferentes materiales ferromagnéticos y antiferromagnéticos. Para calcular esta propiedad magneto-eléctrica, se empleó la fórmula de Kubo usando funciones de Wannier construidas a partir de las funciones de Bloch...

Full description

Autores:
Sierra Cortés, Miguel Ricardo
Tipo de recurso:
Doctoral thesis
Fecha de publicación:
2022
Institución:
Universidad del Norte
Repositorio:
Repositorio Uninorte
Idioma:
spa
OAI Identifier:
oai:manglar.uninorte.edu.co:10584/11504
Acceso en línea:
http://hdl.handle.net/10584/11504
Palabra clave:
Ferromagnetismo
Manejo de materiales
Ciencias naturales
Rights
openAccess
License
https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
Description
Summary:En el presente trabajo se determina computacionalmente la conductividad Hall anómala en diferentes materiales ferromagnéticos y antiferromagnéticos. Para calcular esta propiedad magneto-eléctrica, se empleó la fórmula de Kubo usando funciones de Wannier construidas a partir de las funciones de Bloch de la teoría del funcional de la densidad. En el caso de materiales ferromagnéticos se encontró que es posible modular la conductividad Hall anómala por medio de la deformación isotrópica de materiales como el Fe, Co y FeCo. Además se realizó un estudio de la variación de la conductividad Hall anómala con la magnetización intrínseca. Para los materiales antiferromagnéticos colineales, en particular el CoNb3S6, se encontró la presencia de una señal considerable de conductividad Hall anómala en el nivel de Fermi, la cual no debería estar presente por ser un material con magnetización neta nula. Sin embargo, por medio de cálculos de primeros principios y análisis de simetría, se demostró que el rompimiento efectivo de la simetría de reversión temporal que se manifiesta en la curvatura de Berry es el responsable de la presencia del efecto Hall anómalo en este material; fenómeno recientemente descubierto y conocido como efecto Hall cristalino. Se espera que el presente trabajo contribuya al descubrimiento de fenómenos y materiales emergentes para el desarrollo de futuros dispositivos espintrónicos.