Caracterización de dispositivos electrónicos basados en materiales avanzados sobre silicio cristalino

Mientras las tecnologías avanzan cada día más rápido, los materiales semiconductores tienen que cumplir con requisitos cada vez más estrictos en búsqueda del mejoramiento del rendimiento de los dispositivos semiconductores, esto ha forzado a los fabricantes a obtener nuevas tecnologías y con ello mejores características lo cual ha requerido una evaluación previa del desempeño de dichos dispositivos mediante pruebas experimentales y simulaciones. Por este motivo es necesario realizar investigaciones sobre materiales más avanzados, las dimensiones de los dispositivos y las propiedades eléctricas que permitan determinar los parámetros de funcionamiento de estos. Esto nos ha llevado a lanzar una búsqueda sobre posibles materiales que nos permitan trabajar en diferentes regiones del rango espectral, como lo es el silicio poroso (de aquí en adelante abreviado “SP”) que posee emisiones en el infrarrojo. Con estas propiedades naturales del material, establecemos como parámetro importante la dimensión de las capas de los materiales con el fin de buscar confinamientos cuánticos que permitan determinar las longitudes de onda en la que trabajan los dispositivos optoelectrónicos

• Autores: Oliveros ortíz, Edward Steven's
• Tipo de recurso: Trabajo de grado de pregrado
• Fecha de publicación: 2013
• Institución: Universidad Autónoma de Occidente
• Repositorio: RED: Repositorio Educativo Digital UAO
• Idioma: spa
• OAI Identifier: oai:red.uao.edu.co:10614/5183
• Acceso en línea: http://hdl.handle.net/10614/5183
• Palabra clave: Ingeniería Electrónica; Semiconductores; Silicio
• Rights: openAccess
• License: https://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0/